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BFL4037-1E

配单专家企业名单
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  • BFL4037-1E
    BFL4037-1E

    BFL4037-1E

  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162106431621048916210479162104578

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质:营业执照

  • 6000

  • SANYO

  • TO220F

  • 15+

  • -
  • 原装正品,假一罚十

  • BFL4037-1E
    BFL4037-1E

    BFL4037-1E

  • 上海鑫科润电子科技有限公司
    上海鑫科润电子科技有限公司

    联系人:鑫科润

    电话:185210072361851602286718516022897

    地址:上海徐汇区中山南二路1007号

  • 50000

  • ON Semiconductor

  • TO-220F-3FS

  • 17+

  • -
  • 全新原装现货

  • BFL4037-1E
    BFL4037-1E

    BFL4037-1E

  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:雷春艳

    电话:19129493934(手机优先微信同号)0755-83266697

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质:营业执照

  • 250

  • SANYO

  • TO220F

  • 10+

  • -
  • 全新原装现货

  • 1/1页 40条/页 共8条 
  • 1
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  • 制造商
  • ON Semiconductor
  • 功能描述
  • NCH 10V DRIVE SERIES - Ammo Pack
BFL4037-1E 技术参数
  • BFL4037 功能描述:MOSFET N-CH 500V 11A TO-220FI 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):500V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):11A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):430 毫欧 @ 8A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):48.6nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1200pF @ 30V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220FI(LS) 标准包装:100 BFL4036-1E 功能描述:MOSFET N-CH 500V 9.6A 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):500V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):9.6A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):520 毫欧 @ 7A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):38.4nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1000pF @ 30V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220F-3FS 标准包装:50 BFL4036 功能描述:MOSFET N-CH 500V 9.6A TO-220FI 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):500V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):9.6A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):520 毫欧 @ 7A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):38.4nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1000pF @ 30V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220FI(LS) 标准包装:100 BFL4026-1E 功能描述:MOSFET N-CH 900V 3.5A 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):900V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):3.5A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):3.6 欧姆 @ 2.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):33nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):650pF @ 30V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220F-3FS 标准包装:50 BFL4026 功能描述:MOSFET N-CH 900V 3.5A TO-220FI 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):900V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):3.5A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):3.6 欧姆 @ 2.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):33nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):650pF @ 30V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220FI(LS) 标准包装:100 BFM-1C-05C BFM-1C-05CW BFM-1C-05E BFM-1C-12 BFM-1C-12C BFM-1C-12CW BFM-1C-12E BFM505,115 BFM520,115 BFN 19 E6327 BFN.1F.100.PCSG BFN.2F.100.PCSG BFN18E6327HTSA1 BFN18H6327XTSA1 BFN19H6327XTSA1 BFN24E6327HTSA1 BFN26E6327HTSA1 BFN26E6433HTMA1
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