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BFQ19/T1

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  • 未知厂家
  • 功能描述
  • TRANSISTOR UHF BIPOLAR BREITBAND
BFQ19/T1 技术参数
  • BFQ19,115 功能描述:TRANS NPN 15V 5.5GHZ SOT89 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿(最大值):15V 频率 - 跃迁:5.5GHz 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):3.3dB @ 500MHz 增益:- 功率 - 最大值:1W 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):25 @ 70mA,10V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:SOT-89-3 标准包装:1 BFQ18A,115 功能描述:TRANS NPN 18V 150MA SOT89 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿(最大值):18V 频率 - 跃迁:4GHz 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):- 增益:- 功率 - 最大值:1W 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):25 @ 100mA,10V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):150mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:SOT-89-3 标准包装:1 BFQ149,115 功能描述:TRANS PNP 15V 100MA SOT89 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:PNP 电压 - 集射极击穿(最大值):15V 频率 - 跃迁:5GHz 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):3.3dB @ 500MHz 增益:- 功率 - 最大值:1W 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):20 @ 70mA,10V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:SOT-89-3 标准包装:1 BFQ 19S E6327 功能描述:RF Transistor NPN 15V 210mA 5.5GHz 1W Surface Mount PG-SOT89 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿(最大值):15V 频率 - 跃迁:5.5GHz 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):1.8dB ~ 3dB @ 900MHz ~ 1.8Ghz 增益:7dB ~ 11.5dB 功率 - 最大值:1W 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):70 @ 70mA,8V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):210mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:PG-SOT89 标准包装:1 BFP843H6327XTSA1 功能描述:RF Transistor NPN 2.25V 55mA 125mW Surface Mount SOT-343 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿(最大值):2.25V 频率 - 跃迁:- 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):0.9dB ~ 1.85dB @ 450MHz ~ 10GHz 增益:13.5dB ~ 24.5dB 功率 - 最大值:125mW 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):150 @ 15mA,1.8V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):55mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-82A,SOT-343 供应商器件封装:SOT-343 标准包装:1 BFR 106 E6327 BFR 181 E6327 BFR 181 E6780 BFR 181T E6327 BFR 181W E6327 BFR 182 B6663 BFR 182 E6327 BFR 182T E6327 BFR 182W E6327 BFR 183 E6327 BFR 183T E6327 BFR 183W E6327 BFR 193 E6327 BFR 193L3 E6327 BFR 193W E6327 BFR 340T E6327 BFR 360F E6327 BFR 360F E6765
配单专家

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