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BFR30/DG/B2

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    BFR30/DG/B2

    BFR30/DG/B2

  • 深圳市硅宇电子有限公司
    深圳市硅宇电子有限公司

    联系人:唐先生

    电话:134242936540755-83690762

    地址:深圳市福田区福虹路世界贸易广场A座1503

    资质:营业执照

  • 2990

  • 原装NXP

  • SOT23

  • 2015+PB

  • -
  • 原装现货/特价

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  • 1
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BFR30/DG/B2 技术参数
  • BFR30,235 功能描述:JFET N-Channel 4mA @ 10V 250mW Surface Mount SOT-23 (TO-236AB) 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:N 沟道 电压 - 击穿(V(BR)GSS):- 漏源极电压(Vdss):25V 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss):4mA @ 10V 漏极电流(Id) - 最大值:10mA 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关):5V @ 0.5nA 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):4pF @ 10V 电阻 - RDS(开):- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23(TO-236AB) 功率 - 最大值:250mW 标准包装:10,000 BFR30,215 功能描述:JFET N-CH 10MA 250MW SOT23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:N 沟道 电压 - 击穿(V(BR)GSS):- 漏源极电压(Vdss):25V 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss):4mA @ 10V 漏极电流(Id) - 最大值:10mA 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关):5V @ 0.5nA 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):4pF @ 10V 电阻 - RDS(开):- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23(TO-236AB) 功率 - 最大值:250mW 标准包装:1 BFR2821S1 功能描述:CIRCULAR 制造商:itt cannon, llc 系列:* 零件状态:在售 标准包装:25 BFR2821P1 功能描述:CIRCULAR 制造商:itt cannon, llc 系列:* 零件状态:在售 标准包装:25 BFR281P1F80 功能描述:CIRCULAR 制造商:itt cannon, llc 系列:* 零件状态:在售 标准包装:25 BFR340L3E6327XTMA1 BFR35APE6327HTSA1 BFR360FH6327XTSA1 BFR360FH6765XTSA1 BFR360L3E6765XTMA1 BFR380FH6327XTSA1 BFR380L3E6327XTMA1 BFR460L3E6327XTMA1 BFR505,215 BFR505T,115 BFR520,215 BFR520,235 BFR520T,115 BFR540,215 BFR540,235 BFR720L3RHE6327XTSA1 BFR740EL3E6829XTSA1 BFR740L3RHE6327XTSA1
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