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BFR34A

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  • BFR34A
    BFR34A

    BFR34A

  • 北京首天伟业科技有限公司
    北京首天伟业科技有限公司

    联系人：刘先生

    电话：010-6256544762566447

    地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1010室

    资质：营业执照

  • 5000

  • 德律风根

  • 十字架

  • 2011

  • -

  • 假一罚十，百分百原装正品

  • BFR34A
    BFR34A

    BFR34A

  • 深圳市硅宇电子有限公司
    深圳市硅宇电子有限公司

    联系人：唐先生

    电话：134242936540755-83690762

    地址：深圳市福田区福虹路世界贸易广场A座1503

    资质：营业执照

  • 4503

  • SIE

  • DQ

  • 1224+

  • -

  • 原装现货/特价

  • BFR34A
    BFR34A

    BFR34A

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人：朱先生/李小姐

    电话：0755-2394163213723794312（微信同号）

    地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

  • 865000

  • SIEMENS

  • TO50

  • 最新批号

  • -

  • 一级代理.原装特价现货！

  • BFR34A
    BFR34A

    BFR34A

  • 深圳市粤科源兴科技有限公司
    深圳市粤科源兴科技有限公司

    联系人：谢先生

    电话：13392885468

    地址：深圳市福田区华强路赛格广场大厦69楼6998室/华强电子世界三期4C159-160室

    资质：营业执照

  • 800

  • 原装现货优价出售

  • 十字架-3P

  • -

  • 原装现货/价格优势

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  • 制造商
  • INFINEON
  • 制造商全称
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • NPN SILICON TRANSISTOR FOR LOW-NOISE RF BROADBAND AMPLIFIERS
BFR34A 技术参数
  • BFR340L3E6327XTMA1 功能描述:RF Transistor NPN 9V 10mA 14GHz 60mW Surface Mount PG-TSLP-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:停产 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:9V 频率 - 跃迁:14GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.15dB @ 1.8GHz 增益:17.5dB 功率 - 最大值:60mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:90 @ 5mA，3V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:10mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-101，SOT-883 供应商器件封装:PG-TSLP-3 标准包装:1 BFR340FH6327XTSA1 功能描述:RF Transistor NPN 9V 20mA 14GHz 75mW Surface Mount PG-TSFP-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:9V 频率 - 跃迁:14GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:0.9dB ~ 1.2dB @ 100MHz ~ 2.4GHz 增益:13dB ~ 28dB 功率 - 最大值:75mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:90 @ 5mA，3V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:20mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-723 供应商器件封装:PG-TSFP-3 标准包装:1 BFR32A10S1 功能描述:CIRCULAR 制造商:itt cannon, llc 系列:* 零件状态:在售 标准包装:25 BFR32A10P1 功能描述:CIRCULAR 制造商:itt cannon, llc 系列:* 零件状态:在售 标准包装:25 BFR31LT1G 功能描述:JFET N-Channel 1mA @ 10V 225mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:过期 FET 类型:N 沟道 电压 - 击穿（V（BR）GSS）:- 漏源极电压（Vdss）:25V 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:1mA @ 10V 漏极电流（Id） - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:2.5V @ 0.5nA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:5pF @ 10V 电阻 - RDS（开）:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3（TO-236） 功率 - 最大值:225mW 标准包装:3,000 BFR520,215 BFR520,235 BFR520T,115 BFR540,215 BFR540,235 BFR720L3RHE6327XTSA1 BFR740EL3E6829XTSA1 BFR740L3RHE6327XTSA1 BFR750L3RHE6327XTSA1 BFR840L3RHESDE6327XTSA1 BFR843EL3E6327XTSA1 BFR92A,215 BFR92A,235 BFR92ALT1 BFR92AW,115 BFR92AW,135 BFR92PE6327HTSA1 BFR92WH6327XTSA1
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