BFT93E6327

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北京元坤伟业科技有限公司
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深圳市蓝山航业电子科技有限公司
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深圳市华芯盛世科技有限公司
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BFT93E6327 技术参数

BFT93,215 功能描述:TRANS PNP 12V 5GHZ SOT-23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:PNP 电压 - 集射极击穿（最大值）:12V 频率 - 跃迁:5GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:2.4dB @ 500MHz 增益:- 功率 - 最大值:300mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:20 @ 30mA，5V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:35mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23（TO-236AB）标准包装:1 BFT92W,115 功能描述:TRANS PNP 35MA 15V 4GHZ SOT323 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:PNP 电压 - 集射极击穿（最大值）:15V 频率 - 跃迁:4GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:2.5dB ~ 3dB @ 500MHz ~ 1GHz 增益:- 功率 - 最大值:300mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:20 @ 15mA，10V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:25mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:SOT-323 标准包装:1 BFT92E6327 功能描述:RF Transistor PNP 15V 25mA 5GHz 200mW Surface Mount PG-SOT23-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期晶体管类型:PNP 电压 - 集射极击穿（最大值）:15V 频率 - 跃迁:5GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:2dB ~ 3.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 增益:8dB ~ 13.5dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:15 @ 15mA，8V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:25mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:PG-SOT23-3 标准包装:10 BFT92,215 功能描述:TRANS PNP 25MA 15V 5GHZ SOT23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:PNP 电压 - 集射极击穿（最大值）:15V 频率 - 跃迁:5GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:2.5dB @ 500MHz 增益:- 功率 - 最大值:300mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:20 @ 14mA，10V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:25mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23（TO-236AB）标准包装:1 BFT46,215 功能描述:JFET N-CH 10MA 250MW SOT23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:N 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:- 漏源极电压（Vdss）:25V 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:200μA @ 10V 漏极电流（Id） - 最大值:10mA 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:1.2V @ 0.5nA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:5pF @ 10V 电阻 - RDS（开）:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23（TO-236AB）功率 - 最大值:250mW 标准包装:1 BFU520XRVL BFU520XVL BFU520YF BFU520YX BFU530AR BFU530AVL BFU530R BFU530VL BFU530WF BFU530WX BFU530XAR BFU530XRR BFU530XRVL BFU530XVL BFU550AR BFU550AVL BFU550R BFU550VL