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BL-P92012-30F2

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BL-P92012-30F2
深圳市一线半导体有限公司
深圳市一线半导体有限公司
联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
电话：0755-83789203多线17727932378
地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F
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BL-P92012-30F2 技术参数

BLP8G27-5Z 功能描述:FET RF 65V 2.14GHZ HVSON16 制造商:ampleon usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:LDMOS 频率:2.14GHz 增益:18dB 电压 - 测试:28V 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:55mA 功率 - 输出:750mW 电压 - 额定:65V 封装/外壳:16-VDFN 裸焊盘供应商器件封装:16-HVSON（4x6）标准包装:1 BLP8G27-10Z 功能描述:FET RF 2CH 65V 2.14GHZ HVSON16 制造商:ampleon usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:LDMOS（双），共源频率:2.14GHz 增益:17dB 电压 - 测试:28V 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:110mA 功率 - 输出:2W 电压 - 额定:65V 封装/外壳:16-VDFN 裸焊盘供应商器件封装:16-HVSON（4x6）标准包装:1 BLP8G21S-160PVY 功能描述:IC TRANS LDMOS 6HSOP 制造商:ampleon usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:LDMOS（双），共源频率:1.88GHz ~ 1.92GHz 增益:17.5dB 电压 - 测试:28V 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:600mA 功率 - 输出:20W 电压 - 额定:65V 封装/外壳:SOT-1221-1 供应商器件封装:6-HSOPF 标准包装:1 BLP8G20S-80PY 功能描述:RF Mosfet LDMOS (Dual), Common Source 28V 300mA 1.88GHz ~ 1.92GHz 17.5dB 10W 4-HSOPF 制造商:ampleon usa inc. 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效晶体管类型:LDMOS（双），共源频率:1.88GHz ~ 1.92GHz 增益:17.5dB 电压 - 测试:28V 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:300mA 功率 - 输出:10W 电压 - 额定:65V 封装/外壳:SOT-1223-1 供应商器件封装:4-HSOPF 标准包装:100 BLP8G10S-45PY 功能描述:FET RF 2CH 65V 957.5MHZ 4HSOP 制造商:ampleon usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:LDMOS（双），共源频率:952.5MHz ~ 957.5MHz 增益:20.8dB 电压 - 测试:28V 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:224mA 功率 - 输出:2.5W 电压 - 额定:65V 封装/外壳:SOT-1223-1 供应商器件封装:4-HSOPF 标准包装:1 BLS3135-20,114 BLS3135-50,114 BLS3135-65,114 BLS6G2731-120,112 BLS6G2731-6G,112 BLS6G2731P-200,117 BLS6G2731S-120,112 BLS6G2731S-130,112 BLS6G2735L-30,112 BLS6G2735LS-30,112 BLS6G2933S-130,112 BLS6G3135-120,112 BLS6G3135-20,112 BLS6G3135S-120,112 BLS6G3135S-20,112 BLS7G2325L-105,112 BLS7G2729L-350P,11 BLS7G2729LS-350P,1