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BLF8G22LS-200GV,12

配单专家企业名单
  • 型号
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  • 封装
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  • 说明
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  • BLF8G22LS-200GV,12
    BLF8G22LS-200GV,12

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  • 上海鑫科润电子科技有限公司
    上海鑫科润电子科技有限公司

    联系人:鑫科润

    电话:185210072361851602286718516022897

    地址:上海徐汇区中山南二路1007号

  • 50000

  • Ampleon USA Inc.

  • CDFM6

  • 17+

  • -
  • 全新原装现货

  • BLF8G22LS-200GV,12
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  • 深圳市一线半导体有限公司
    深圳市一线半导体有限公司

    联系人:谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐

    电话:0755-837892031333298700517727932378

    地址:深圳市福田区华强北华强花园B9F

  • 36200

  • NXP

  • 18+

  • -
  • 原装现货,优势供应

  • BLF8G22LS-200GV,12
    BLF8G22LS-200GV,12

    BLF8G22LS-200GV,12

  • 深圳市企诺德电子有限公司
    深圳市企诺德电子有限公司

    联系人:

    电话:13480313979

    地址:深圳市福田区华强北路1002号赛格广场54楼5403B-5404AB

    资质:营业执照

  • 15000

  • NXP

  • N/A

  • 22+

  • -
  • 原装正品 专业BOM配单

  • BLF8G22LS-200GV,12
    BLF8G22LS-200GV,12

    BLF8G22LS-200GV,12

  • 深圳市粤科源兴科技有限公司
    深圳市粤科源兴科技有限公司

    联系人:谢先生

    电话:13392885468

    地址:深圳市福田区华强路赛格广场大厦69楼6998室/华强电子世界三期4C159-160室

    资质:营业执照

  • 96

  • 8~12 weeks

  • 14+

  • -
  • 原装现货/价格优势

  • 1/1页 40条/页 共8条 
  • 1
BLF8G22LS-200GV,12 PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • 射频MOSFET电源晶体管 2.1GHz 65V 20dB
  • RoHS
  • 制造商
  • Freescale Semiconductor
  • 配置
  • Single
  • 晶体管极性
  • 频率
  • 1800 MHz to 2000 MHz
  • 增益
  • 27 dB
  • 输出功率
  • 100 W
  • 汲极/源极击穿电压
  • 漏极连续电流
  • 闸/源击穿电压
  • 最大工作温度
  • 封装 / 箱体
  • NI-780-4
  • 封装
  • Tray
BLF8G22LS-200GV,12 技术参数
  • BLF8G22LS-160BV:11 功能描述:RF Mosfet LDMOS (Dual), Common Source 32V 1.3A 2.11GHz ~ 2.17GHz 18dB 55W CDFM6 制造商:ampleon usa inc. 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:上次购买时间 晶体管类型:LDMOS(双),共源 频率:2.11GHz ~ 2.17GHz 增益:18dB 电压 - 测试:32V 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:1.3A 功率 - 输出:55W 电压 - 额定:65V 封装/外壳:SOT-1120B 供应商器件封装:CDFM6 标准包装:100 BLF8G22LS-160BV,11 功能描述:RF Mosfet LDMOS (Dual), Common Source 32V 1.3A 2.11GHz ~ 2.17GHz 18dB 55W CDFM6 制造商:ampleon usa inc. 系列:- 包装:管件 零件状态:上次购买时间 晶体管类型:LDMOS(双),共源 频率:2.11GHz ~ 2.17GHz 增益:18dB 电压 - 测试:32V 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:1.3A 功率 - 输出:55W 电压 - 额定:65V 封装/外壳:SOT-1120B 供应商器件封装:CDFM6 标准包装:20 BLF8G22LS-140U 功能描述:RF Mosfet LDMOS 28V 900mA 2.11GHz 18.5dB 33W SOT502B 制造商:ampleon usa inc. 系列:- 包装:管件 零件状态:在售 晶体管类型:LDMOS 频率:2.11GHz 增益:18.5dB 电压 - 测试:28V 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:900mA 功率 - 输出:33W 电压 - 额定:65V 封装/外壳:SOT-502B 供应商器件封装:SOT502B 标准包装:20 BLF8G22LS-140J 功能描述:RF Mosfet LDMOS 28V 900mA 2.11GHz 18.5dB 33W SOT502B 制造商:ampleon usa inc. 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 晶体管类型:LDMOS 频率:2.11GHz 增益:18.5dB 电压 - 测试:28V 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:900mA 功率 - 输出:33W 电压 - 额定:65V 封装/外壳:SOT-502B 供应商器件封装:SOT502B 标准包装:100 BLF8G22L-160BV,118 功能描述:RF Mosfet CDFM6 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 晶体管类型:- 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:- 封装/外壳:SOT-1120B 供应商器件封装:CDFM6 标准包装:100 BLF8G22LS-270GV,12 BLF8G22LS-270GVJ BLF8G22LS-270J BLF8G22LS-270U BLF8G22LS-270V,112 BLF8G22LS-270V,118 BLF8G22LS-310AVJ BLF8G22LS-310AVU BLF8G24L-200P,112 BLF8G24L-200P,118 BLF8G24LS-100GVJ BLF8G24LS-100GVQ BLF8G24LS-100VJ BLF8G24LS-100VU BLF8G24LS-150GVJ BLF8G24LS-150GVQ BLF8G24LS-150VJ BLF8G24LS-150VU
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