BMS4007-1E

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说明
操作

BMS4007-1E
深圳市亚泰盈科电子有限公司
深圳市亚泰盈科电子有限公司
联系人：郑小姐
电话：15338868823
地址：公司地址：★★深圳市福田区佳和大厦B座1410-1411
资质：营业执照
33210
ON/安森美
NA
2023+
-
长期代理此品牌全系列可开增值税发票

BMS4007-1E
上海鑫科润电子科技有限公司
上海鑫科润电子科技有限公司
联系人：鑫科润
电话：185210072361851602286718516022897
地址：上海徐汇区中山南二路1007号
50000
ON Semiconductor
TO-220ML
17+
-
全新原装现货

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1

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功能描述
MOSFET N-CH 75V 60A TO-220ML
制造商
on semiconductor
系列
-
包装
管件
零件状态
有效
FET 类型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压（Vdss）
75V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
60A（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
7.8 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
-
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
160nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
9700pF @ 20V
功率 - 最大值
2W
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-220-3 整包
供应商器件封装
TO-220ML
标准包装
50

BMS4007-1E 技术参数

BMS4007 功能描述:MOSFET N-CH 75V 60A TO-220ML 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:75V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:60A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:7.8 毫欧 @ 30A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:160nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:9700pF @ 20V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220ML 标准包装:100 BMS4003 功能描述:MOSFET N-CH 100V 18A TO-220ML 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:18A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:65 毫欧 @ 9A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:11.4nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:680pF @ 20V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220ML 标准包装:100 BMS3004-1E 功能描述:MOSFET P-CH 75V 68A TO-220F-3SG 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，4V 驱动漏源极电压（Vdss）:75V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:68A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:8.5 毫欧 @ 34A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:300nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:13400pF @ 20V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220F-3SG 标准包装:50 BMS3003-1E 功能描述:MOSFET P-CH 60V 78A 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，4V 驱动漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:78A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:6.5 毫欧 @ 39A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:285nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:13200pF @ 20V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220F-3SG 标准包装:50 BMS3003 功能描述:MOSFET P-CH 60V 78A TO-220ML 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，4V 驱动漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:78A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:6.5 毫欧 @ 39A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.6V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:285nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:13200pF @ 20V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220ML 标准包装:100 BMVK160ADA4R7MD60G BMVK250ADA150MF60G BMVK250ADA3R3MD60G BMVK250ADA6R8ME60G BMVK350ADA100MF60G BMVK350ADA2R2MD60G BMVK350ADA4R7ME60G BMVK500ADA1R0MD60G BMVK500ADA1R5MD60G BMVK500ADA2R2ME60G BMVK500ADA3R3ME60G BMVK500ADA4R7MF60G BMVK500ADA6R8MF60G BMVK500ADAR10MD60G BMVK500ADAR15MD60G BMVK500ADAR22MD60G BMVK500ADAR33MD60G BMVK500ADAR47MD60G