您好,欢迎来到买卖IC网 登录 | 免费注册
您现在的位置:买卖IC网 > B字母型号搜索 >

BSC094N03S+G

配单专家企业名单
  • 型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装
  • 批号
  • 价格
  • 说明
  • 操作

没找到与 " BSC094N03S+G " 相关的供应商

您可以:

1. 缩短或修改您的搜索词,重新搜索

2. 发布紧急采购,3分钟左右您将得到回复 发布紧急采购

  • 1/1页 40条/页 共40条 
  • 1
BSC094N03S+G PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
BSC094N03S+G 技术参数
  • BSC094N03S G 功能描述:MOSFET N-CH 30V 35A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):14.6A(Ta),35A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):9.4 毫欧 @ 35A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 25μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):14nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1800pF @ 15V 功率 - 最大值:52W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TDSON-8 标准包装:5,000 BSC093N15NS5ATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 150V 87A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET (Metal Oxide) 漏源极电压(Vdss):150V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):87A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):9.3 毫欧 @ 44A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.6V @ 107μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):40.7nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):3230pF @ 75V FET 功能:- 功率耗散(最大值):* 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TDSON-8 标准包装:1 BSC093N04LSGATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 40V 49A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):40V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):13A(Ta),49A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):9.3 毫欧 @ 40A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 14μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):24nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1900pF @ 20V 功率 - 最大值:35W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TDSON-8 标准包装:1 BSC0925NDATMA1 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 15A TISON8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:2 N 沟道(双路降压斩波器) FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):15A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):5 毫欧 @ 20A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):17nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1157pF @ 15V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TISON-8 标准包装:5,000 BSC0924NDIATMA1 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 17A/32A TISON8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:2 N 沟道(双)非对称型 FET 功能:逻辑电平栅极,4.5V 驱动 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):17A,32A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):5 毫欧 @ 20A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):10nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1160pF @ 15V 功率 - 最大值:1W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TISON-8 标准包装:5,000 BSC100N10NSFGATMA1 BSC105N10LSFGATMA1 BSC106N025S G BSC109N10NS3GATMA1 BSC110N06NS3GATMA1 BSC110N15NS5ATMA1 BSC117N08NS5ATMA1 BSC118N10NSGATMA1 BSC119N03S G BSC120N03LSGATMA1 BSC120N03MSGATMA1 BSC123N08NS3GATMA1 BSC123N10LSGATMA1 BSC12DN20NS3 G BSC12DN20NS3GATMA1 BSC130P03LS G BSC130P03LSGAUMA1 BSC13DN30NSFDATMA1
配单专家

在采购BSC094N03S+G进货过程中,您使用搜索有什么问题和建议?点此反馈

友情提醒:为规避购买BSC094N03S+G产品风险,建议您在购买BSC094N03S+G相关产品前务必确认供应商资质及产品质量。

免责声明:以上所展示的BSC094N03S+G信息由会员自行提供,BSC094N03S+G内容的真实性、准确性和合法性由发布会员负责。买卖IC网不承担任何责任。

买卖IC网 (www.mmic.net.cn) 版权所有©2006-2019
深圳市硕赢互动信息技术有限公司 | 粤公网安备 44030402000118号 | 粤ICP备14064281号