BSC096N10LS5_代理商_批发/采购【买卖IC网】BSC096N10LS5

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说明
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BSC096N10LS5
深圳市华创欧科技有限公司
深圳市华创欧科技有限公司
联系人：朱先生
电话：2394575513590206539
地址：深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼4A68-2室
22000
INFINEON
TDSON-8
2022+
-
原装正品，公司现货库存假一罚十，电话：0...

BSC096N10LS5ATMA1
深圳市铭昌源科技有限公司
深圳市铭昌源科技有限公司
联系人：优质现货代理商
电话：0755-82774613邓先生（13480915249）微信同步0755-82774613邓先生
地址：深圳市福田区工发路上步管理大厦501栋501室
资质：营业执照
52074
Infineon Technologies
SMD
22+
-
优势代理，公司现货可开票

BSC096N10LS5ATMA1
天阳诚业科贸有限公司
天阳诚业科贸有限公司
联系人：洪宝宇
电话：17862669251
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503
资质：营业执照
817
INFINEON
con
23+
-
现货常备产品原装可到京北通宇商城查价

BSC096N10LS5ATMA1
深圳市德力诚信科技有限公司
深圳市德力诚信科技有限公司
联系人：王小姐
电话：13305449939
地址：深圳市福田区深南中路3031号汉国中心3204室
资质：营业执照
817
INFINEON
con
23+
-
现货常备产品原装可到京北通宇商城查价ww...

BSC096N10LS5ATMA1
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：吴
电话：18724450645
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼5层505室
资质：营业执照
817
INFINEON
NA
23+
-
现货！就到京北通宇商城

BSC096N10LS5ATMA1
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：吴
电话：18724450645
地址：中国上海
817
INFINEON
NA
23+
-
查现货！就到京北通宇商城

BSC096N10LS5
无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司
联系人：张小姐
电话：15961889159
地址：江苏省无锡市新区新梅路68号
资质：营业执照
50
isc,iscsemi
DFN5×6
2024+
-
国产品牌，可替代原装

BSC096N10LS5ATMA1
中山市翔美达电子科技有限公司
中山市翔美达电子科技有限公司
联系人：朱小姐
电话：155020706551802218672813590991023
地址：火炬开发区中山港大道99号金盛广场1栋613室
3000
英飞凌
TO-3P
22+
-
原装现货

BSC096N10LS5
深圳市杰世特电子有限公司
深圳市杰世特电子有限公司
联系人：林S
电话：18927460633
地址：深圳市福田区振华路118号华丽大厦2栋2单元535
0
22+
18000
LQFP48
-
进口原装现货支持实单价优

BSC096N10LS5
深圳市十德盛科技有限公司
深圳市十德盛科技有限公司
联系人：李先生
电话：0755-8271907113336545634
地址：深圳市福田区华强路世贸广场A座14楼15A09
资质：营业执照
13003
Infineon(英飞凌)
22+
-
全新原装现货

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BSC096N10LS5 技术参数

BSC094N06LS5ATMA1 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 60V 47A 8TDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:47A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 14μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:9.4nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1300pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:36W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:9.4 毫欧 @ 24A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:PG-TDSON-8 封装/外壳:8-PowerTDFN 标准包装:5,000 BSC094N03S G 功能描述:MOSFET N-CH 30V 35A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:14.6A（Ta），35A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:9.4 毫欧 @ 35A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 25μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:14nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1800pF @ 15V 功率 - 最大值:52W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TDSON-8 标准包装:5,000 BSC093N15NS5ATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 150V 87A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET (Metal Oxide) 漏源极电压（Vdss）:150V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:87A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:9.3 毫欧 @ 44A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.6V @ 107μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:40.7nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3230pF @ 75V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:* 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TDSON-8 标准包装:1 BSC093N04LSGATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 40V 49A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:13A（Ta），49A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:9.3 毫欧 @ 40A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 14μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:24nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1900pF @ 20V 功率 - 最大值:35W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TDSON-8 标准包装:1 BSC0925NDATMA1 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 15A TISON8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:2 N 沟道（双路降压斩波器） FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:15A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:5 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:17nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1157pF @ 15V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TISON-8 标准包装:5,000 BSC105N10LSFGATMA1 BSC106N025S G BSC109N10NS3GATMA1 BSC110N06NS3GATMA1 BSC110N15NS5ATMA1 BSC117N08NS5ATMA1 BSC118N10NSGATMA1 BSC119N03S G BSC120N03LSGATMA1 BSC120N03MSGATMA1 BSC123N08NS3GATMA1 BSC123N10LSGATMA1 BSC12DN20NS3 G BSC12DN20NS3GATMA1 BSC130P03LS G BSC130P03LSGAUMA1 BSC13DN30NSFDATMA1 BSC150N03LD G

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