BSD235N H6327_代理商_批发/采购【买卖IC网】BSD235N H6327

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

BSD235N H6327 贴片三极管
深圳市华盛锦科技有限公司
深圳市华盛锦科技有限公司
联系人：张先生/雷小姐
电话：0755-8279802015814679726（承诺只售原装正品，终端BOM配单一站式服务）
地址：华强街道赛格广场55楼5566室
资质：营业执照
86800
INFINEON/英飞凌
SOT363
21+原厂授权
-
★原厂授权★价超代理★

BSD235N H6327
深圳市亿联芯电子科技有限公司
深圳市亿联芯电子科技有限公司
联系人：吴经理
电话：18138401919
地址：深圳市福田区赛格科技园4栋中7楼7B30
69880
TY/台灣半導体
SOT363-6
2021+
-
★★正规渠道★原厂正品最新货源现货供应★...

BSD235N H6327
深圳市英科美电子有限公司
深圳市英科美电子有限公司
联系人：张先生
电话：0755-23903058
地址：深圳市福田区振兴路西101号华匀大厦1栋7F
47120
Infineon
SOT-363
22+
-
每一片都来自原厂，正品保证

BSD235N H6327
深圳市悦兴晨电子科技有限公司
深圳市悦兴晨电子科技有限公司
联系人：朱先生
电话：０７５５-８２８１２００４82811605
地址：深圳市福田区上步工业区405栋607室柜台号新亚洲二期N2B227
30000
ON
原厂封装
2023+
-
进口原装假一赔十

BSD235N H6327
深圳市新良宇电子有限公司
深圳市新良宇电子有限公司
联系人：李先生
电话：0755-8323763213302457603
地址：福田区振兴路华匀大厦221室
56912
Infineon Technologies
MOSFET N-CH DUAL 20V
23+
-
原装现货欢迎来电查询！

BSD235N H6327
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
45000
INFINEON
1521+
-
全新原装现货

BSD235N H6327
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：史仙雁
电话：19129911934（手机优先微信同号）0755-82813018
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
2100
ON
ROHS
13+
-
全新原装现货库存！400-800-030...

BSD235N H6327
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：何芝
电话：19129491934(手机优先微信同号)0755-82865099
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
6550
ON
ROHS
201311+
-
原装正品，现货库存！400-800-03...

BSD235N H6327
深圳市创芯弘科技有限公司
深圳市创芯弘科技有限公司
联系人：(2014年前十佳IC供应商)
电话：13410000176
地址：深圳市福田区益田路平安金融中心4606.代理分销常备现货.可申请账期......
资质：营业执照
369800
Infineon(英飞凌)
PG-SOT363-6
刚到货
-
代理可含税开票

BSD235N H6327
深圳市科翼源电子有限公司
深圳市科翼源电子有限公司
联系人：朱小姐
电话：13510998172
地址：振华路100号深纺大厦C座2楼E16
资质：营业执照
5003
INFINEON/英飞凌
SOT363
23+
-
原厂原装正品现货

BSD235N H6327
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
联系人：雷精云
电话：18988598856
地址：深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层
资质：营业执照
4668
INFINEON
SOT363-6
2235+
-
十年专营，供应原装正品！热卖现货！

BSD235N H6327
深圳市科宏特电子有限公司
深圳市科宏特电子有限公司
联系人：李瑞兵
电话：18897698645
地址：深圳市福田区深南中路华强电子世界三店佳和4C148
36000000
Infineon
22+
-
原装正品

BSD235N H6327
深圳市博盛源科技有限公司
深圳市博盛源科技有限公司
联系人：朱先生
电话：0755-23984783
地址：华强广场C座22K
资质：营业执照
59880
INF
21+
-
一级代理现货库存，配单专家竭诚为您服务

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功能描述
MOSFET N-CH DUAL 20V SOT363
RoHS
是
类别
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
系列
OptiMOS™
产品目录绘图
8-SOIC Mosfet Package
标准包装
1
系列
-
FET 型
2 个 N 沟道（双）
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
3A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
75 毫欧 @ 4.6A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
20nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
-
功率 - 最大
1.4W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
PowerPAK? SO-8
供应商设备封装
PowerPAK? SO-8
包装
Digi-Reel®
产品目录页面
1664 (CN2011-ZH PDF)
其它名称
SI7948DP-T1-GE3DKR

BSD235N H6327 技术参数

BSD235CH6327XTSA1 功能描述:MOSFET N/P-CH 20V SOT363 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:N 和 P 沟道 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:950mA，530mA 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:350 毫欧 @ 950mA，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 1.6μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:0.34nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:47pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:6-VSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:PG-SOT363-6 标准包装:1 BSD235C L6327 功能描述:MOSFET N/P-CH 20V SOT-363 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:N 和 P 沟道 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:950mA，530mA 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:350 毫欧 @ 950mA，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 1.6μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:0.34nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:47pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:6-VSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:PG-SOT363-6 标准包装:1 BSD223PH6327XTSA1 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:2 个 P 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:390mA 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.2 欧姆 @ 390mA，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 1.5μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:0.62nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:56pF @ 15V 功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:6-VSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:PG-SOT363-6 标准包装:1 BSD223P L6327 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:2 个 P 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:390mA 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.2 欧姆 @ 390mA，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 1.5μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:0.62nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:56pF @ 15V 功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:6-VSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:PG-SOT363-6 标准包装:3,000 BSD223P 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:2 个 P 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:390mA 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.2 欧姆 @ 390mA，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 1.5μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:0.62nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:56pF @ 15V 功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:6-VSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:PG-SOT363-6 标准包装:1 BSD840N L6327 BSD840NH6327XTSA1 BSE-020-01-C-D BSE-020-01-C-D-A BSE-020-01-C-D-A-TR BSE-020-01-C-D-LC BSE-020-01-F-D BSE-020-01-F-D-A BSE-020-01-F-D-A-FL BSE-020-01-F-D-A-FL-TR BSE-020-01-F-D-A-K-TR BSE-020-01-F-D-A-TR BSE-020-01-F-D-EM2 BSE-020-01-F-D-EM2-GP BSE-020-01-H-D BSE-020-01-H-D-A BSE-020-01-H-D-A-TR BSE-020-01-H-D-EM2

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