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BSD5A151V35

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  • BSD5A151V35
    BSD5A151V35

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  • 深圳市创芯弘科技有限公司
    深圳市创芯弘科技有限公司

    联系人:(2014年前十佳IC供应商)

    电话:13410000176

    地址:深圳市福田区益田路平安金融中心4606.代理分销常备现货.可申请账期......

    资质:营业执照

  • 369800

  • BORN代理

  • SOD-523

  • 刚到货

  • -
  • BORN代理可含税开票

  • BSD5A151V35
    BSD5A151V35

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  • 深圳市科宏特电子有限公司
    深圳市科宏特电子有限公司

    联系人:李瑞兵

    电话:18897698645

    地址:深圳市福田区深南中路华强电子世界三店佳和4C148

  • 36000000

  • BORN伯恩半导体

  • 22+

  • -
  • 原装正品

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BSD5A151V35 技术参数
  • BSD340NH6327XTSA1 功能描述:SMALL SIGNAL+P-CH 制造商:infineon technologies 系列:* 包装:带卷(TR) 零件状态:在售 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-VSSOP,SC-88,SOT-363 供应商器件封装:PG-SOT363-6 标准包装:3,000 BSD316SNL6327XT 功能描述:MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT-363 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极,4.5V 驱动 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):1.4A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):160 毫欧 @ 1.4A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 3.7μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):0.6nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):94pF @ 15V 功率 - 最大值:500mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-VSSOP,SC-88,SOT-363 供应商器件封装:PG-SOT363-6 标准包装:1 BSD316SNH6327XTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT363 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极,4.5V 驱动 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):1.4A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):160 毫欧 @ 1.4A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 3.7μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):0.6nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):94pF @ 15V 功率 - 最大值:500mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-VSSOP,SC-88,SOT-363 供应商器件封装:PG-SOT363-6 标准包装:3,000 BSD314SPEL6327HTSA1 功能描述:MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT363 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:停产 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极,4.5V 驱动 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):1.5A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):140 毫欧 @ 1.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 6.3μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):2.9nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):294pF @ 15V 功率 - 最大值:500mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-VSSOP,SC-88,SOT-363 供应商器件封装:PG-SOT363-6 标准包装:1 BSD314SPEH6327XTSA1 功能描述:MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT363 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极,4.5V 驱动 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):1.5A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):140 毫欧 @ 1.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 6.3μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):2.9nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):294pF @ 15V 功率 - 最大值:500mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供应商器件封装:PG-SOT363-6 标准包装:3,000 BSE-020-01-F-D-A BSE-020-01-F-D-A-FL BSE-020-01-F-D-A-FL-TR BSE-020-01-F-D-A-K-TR BSE-020-01-F-D-A-TR BSE-020-01-F-D-EM2 BSE-020-01-F-D-EM2-GP BSE-020-01-H-D BSE-020-01-H-D-A BSE-020-01-H-D-A-TR BSE-020-01-H-D-EM2 BSE-020-01-L-D BSE-020-01-L-D-A BSE-020-01-L-D-A-FL BSE-020-01-L-D-A-FL-TR BSE-020-01-L-D-A-GP BSE-020-01-L-D-A-TR BSE-020-01-L-D-EM2
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