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  • BSF045N03MQ3G

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BSF045N03MQ3G技术参数

BSF050N03LQ3 G 功能描述:MOSFET N-Channel 30V MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube BSF050N03LQ3G 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: BSF050N03LQ3GXT 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 30V 60A 2WDSON BSF050N03LQ3GXUMA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 15A 6-Pin WDSON 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:N-KANAL POWER MOS - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 30V 60A 2WDSON BSF053N03LT G 功能描述:MOSFET OptiMOS 2 PWR N-CH 30V 71A 5.3mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube BSF053N03LTG 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: BSF053N03LTGXT 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 16A 7-Pin WDSON BSF073NE2LQGXT 功能描述:MOSFET OptiMOS2 PWR-MOSFET N-CH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube BSF077N06NT3 G 功能描述:MOSFET N-KANAL POWER MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube BSF077N06NT3G 制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:n-Channel Power MOSFET