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BSF050N03LQ3GXT

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  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 30V 60A 2WDSON
BSF050N03LQ3GXT 技术参数
  • BSF045N03MQ3 G 功能描述:MOSFET N-CH 30V 63A WDSON-2 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):18A(Ta),63A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):4.5 毫欧 @ 20A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):34nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2600pF @ 15V 功率 - 最大值:28W 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:3-WDSON 供应商器件封装:MG-WDSON-2,CanPAK M? 标准包装:5,000 BSF035NE2LQXUMA1 功能描述:MOSFET N-CH 25V 22A 2WDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):25V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):22A(Ta),69A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):3.5 毫欧 @ 30A, 10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):25nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1862pF @ 12V 功率 - 最大值:2.2W 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:3-WDSON 供应商器件封装:MG-WDSON-2,CanPAK M? 标准包装:5,000 BSF030NE2LQXUMA1 功能描述:MOSFET N-CH 25V 24A WDSON-2 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):25V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):24A(Ta),75A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):23nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):1700pF @ 12V FET 功能:- 功率耗散(最大值):2.2W(Ta),28W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):3 毫欧 @ 30A,10V 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:MG-WDSON-2,CanPAK M? 封装/外壳:3-WDSON 标准包装:1 BSF030NE2LQ 功能描述:MOSFET N-CH 25V 24A WDSON-2 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):25V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):24A(Ta),75A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):3 毫欧 @ 30A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):23nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1700pF @ 12V 功率 - 最大值:2.2W 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:3-WDSON 供应商器件封装:MG-WDSON-2,CanPAK M? 标准包装:1 BSF024N03LT3GXUMA1 功能描述:MOSFET N-CH 30V 106A 2WDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):15A(Ta),106A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):2.4 毫欧 @ 20A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):71nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):5500pF @ 15V 功率 - 最大值:2.2W 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:3-WDSON 供应商器件封装:MG-WDSON-2,CanPAK M? 标准包装:1 BSG0811NDATMA1 BSG0813NDIATMA1 BSH-020-01-C-D-A BSH-020-01-F-D BSH-020-01-F-D-A BSH-020-01-F-D-A-TR BSH-020-01-F-D-DP-A BSH-020-01-F-D-LC-TR BSH-020-01-H-D-A BSH-020-01-H-D-A-TR BSH-020-01-H-D-LC-TR BSH-020-01-L-D-A BSH-020-01-L-D-A-TR BSH-020-01-L-D-DP-A BSH-020-01-L-D-DP-A-TR BSH-020-01-L-D-EM2 BSH-030-01-C-D BSH-030-01-C-D-A
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