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BSF083N03LQ G

配单专家企业名单
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  • BSF083N03LQ G
    BSF083N03LQ G

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  • 深圳市众芯微电子有限公司
    深圳市众芯微电子有限公司

    联系人:陈小姐

    电话:0755-8320801015711992892

    地址:都会轩3607

    资质:营业执照

  • 9800

  • Infineon Technologies

  • MG-WDSON-2,CanPAK M?

  • 19+

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  • 上海鑫科润电子科技有限公司
    上海鑫科润电子科技有限公司

    联系人:鑫科润

    电话:185210072361851602286718516022897

    地址:上海徐汇区中山南二路1007号

  • 50000

  • Infineon Technologies

  • MG-WDSON-2,CanPAK M?

  • 17+

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  • 全新原装现货

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  • 深圳市大源实业科技有限公司
    深圳市大源实业科技有限公司

    联系人:李女士

    电话:1530261991513762584085

    地址:深圳市龙岗区五和大道山海商业广场C座707室

  • 2500

  • INFINEO

  • WDSON-2

  • 22+

  • -
  • 公司原装现货,可订货,有单来谈QQ:16...

  • BSF083N03LQ G
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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

    电话:0755-2394163213723794312(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

  • 865000

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  • 深圳市正永电子有限公司
    深圳市正永电子有限公司

    联系人:陈小姐

    电话:0755-23930354

    地址:中航路都会轩3607

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  • Infineon Technologies

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  • 功能描述
  • MOSFET OptiMOS 2 PWR N-CH 30V 53A 8.3mOhm
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶体管极性
  • N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压
  • 650 V
  • 闸/源击穿电压
  • 25 V
  • 漏极连续电流
  • 130 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作温度
  • 安装风格
  • Through Hole
  • 封装 / 箱体
  • Max247
  • 封装
  • Tube
BSF083N03LQ G 技术参数
  • BSF077N06NT3GXUMA1 功能描述:MOSFET N-CH 60V 13A WDSON-2 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):13A(Ta),56A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):7.7 毫欧 @ 30A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 33μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):46nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):3700pF @ 30V 功率 - 最大值:38W 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:3-WDSON 供应商器件封装:MG-WDSON-2,CanPAK M? 标准包装:1 BSF053N03LT G 功能描述:MOSFET N-CH 30V 71A 2WDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):16A(Ta),71A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):5.3 毫欧 @ 30A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):29nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2700pF @ 15V 功率 - 最大值:42W 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:3-WDSON 供应商器件封装:MG-WDSON-2,CanPAK M? 标准包装:5,000 BSF050N03LQ3GXUMA1 功能描述:MOSFET N-CH 30V 60A 2WDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):15A(Ta),60A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):5 毫欧 @ 20A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):42nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):3000pF @ 15V 功率 - 最大值:2.2W 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:3-WDSON 供应商器件封装:MG-WDSON-2,CanPAK M? 标准包装:1 BSF045N03MQ3 G 功能描述:MOSFET N-CH 30V 63A WDSON-2 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):18A(Ta),63A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):4.5 毫欧 @ 20A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):34nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2600pF @ 15V 功率 - 最大值:28W 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:3-WDSON 供应商器件封装:MG-WDSON-2,CanPAK M? 标准包装:5,000 BSF035NE2LQXUMA1 功能描述:MOSFET N-CH 25V 22A 2WDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):25V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):22A(Ta),69A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):3.5 毫欧 @ 30A, 10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):25nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1862pF @ 12V 功率 - 最大值:2.2W 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:3-WDSON 供应商器件封装:MG-WDSON-2,CanPAK M? 标准包装:5,000 BSH-020-01-F-D-A BSH-020-01-F-D-A-TR BSH-020-01-F-D-DP-A BSH-020-01-F-D-LC-TR BSH-020-01-H-D-A BSH-020-01-H-D-A-TR BSH-020-01-H-D-LC-TR BSH-020-01-L-D-A BSH-020-01-L-D-A-TR BSH-020-01-L-D-DP-A BSH-020-01-L-D-DP-A-TR BSH-020-01-L-D-EM2 BSH-030-01-C-D BSH-030-01-C-D-A BSH-030-01-C-D-A-K-TR BSH-030-01-C-D-A-TR BSH-030-01-F-D BSH-030-01-F-D-A
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