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BSH108 T/R

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  • 功能描述
  • MOSFET TAPE7 PWR-MO
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶体管极性
  • N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压
  • 650 V
  • 闸/源击穿电压
  • 25 V
  • 漏极连续电流
  • 130 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作温度
  • 安装风格
  • Through Hole
  • 封装 / 箱体
  • Max247
  • 封装
  • Tube
BSH108 T/R 技术参数
  • BSH105,235 功能描述:MOSFET N-CH 20V 1.05A SOT23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):1.05A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):200 毫欧 @ 600mA,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):570mV @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):3.9nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):152pF @ 16V 功率 - 最大值:417mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23(TO-236AB) 标准包装:10,000 BSH105,215 功能描述:MOSFET N-CH 20V 1.05A SOT23 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):1.05A(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):570mV @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):3.9nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):152pF @ 16V FET 功能:- 功率耗散(最大值):417mW(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):200 毫欧 @ 600mA,4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:TO-236AB(SOT23) 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 标准包装:1 BSH103,235 功能描述:MOSFET N-CH 30V 0.85A SOT23 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):850mA(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):400mV @ 1mA(最小) 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):2.1nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):83pF @ 24V FET 功能:- 功率耗散(最大值):540mW(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):400 毫欧 @ 500mA,4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:TO-236AB(SOT23) 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 标准包装:1 BSH103,215 功能描述:MOSFET N-CH 30V 0.85A SOT23 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):850mA(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):400mV @ 1mA(最小) 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):2.1nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):83pF @ 24V FET 功能:- 功率耗散(最大值):540mW(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):400 毫欧 @ 500mA,4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:TO-236AB(SOT23) 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 标准包装:1 BSH-100-01-L-D-DP-EM2 功能描述:.5MM DOUBLE ROW SOCKET ASSEMBLY 制造商:samtec inc. 系列:BSH 包装:管件 零件状态:在售 连接器类型:差分对阵列,母 针脚数:200 间距:0.020"(0.50mm) 排数:2 安装类型:板边缘,跨骑式安装 特性:- 触头镀层:金 触头镀层厚度:10μin(0.25μm) 接合堆叠高度:- 板上高度:- 标准包装:500 BSH-120-01-C-D-LC-TR BSH-120-01-F-D BSH-120-01-F-D-A BSH-120-01-F-D-A-TR BSH-120-01-F-D-EM2 BSH-120-01-F-D-LC BSH-120-01-F-D-LC-TR BSH-120-01-F-D-TR BSH-120-01-H-D BSH-120-01-H-D-A BSH-120-01-H-D-A-TR BSH-120-01-H-D-EM2 BSH-120-01-H-D-LC BSH-120-01-H-D-LC-TR BSH-120-01-L-D BSH-120-01-L-D-A BSH-120-01-L-D-A-LC BSH-120-01-L-D-A-TR
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