BSH301_代理商_批发/采购【买卖IC网】BSH301

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批号
价格
说明
操作

BSH301
深圳市英科美电子有限公司
深圳市英科美电子有限公司
联系人：张先生
电话：0755-23903058
地址：深圳市福田区振兴路西101号华匀大厦1栋7F
16800
NEXPERIA/安世
SOT-23
22+
-
每一片都来自原厂，正品保证

BSH301
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162106431621048916210479162104578
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
638850
NXP
SOT-23
最新批次
-
OEM渠道，价格超越代理！

BSH301
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
15000
NXP
SOT-23
14+
-
全新原装现货

BSH301
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210479162106431621045786210493162104891
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
NULL
NULL
09/10+
-
假一罚十，百分百原装正品

BSH301
深圳市艾飞琪电子科技有限公司
深圳市艾飞琪电子科技有限公司
联系人：曹先生
电话：0755-239499810755-23037082
地址：深圳市福田区都会大厦B座29S
15000
NXP
SOT-23
12+
-
全新原装现货

BSH301
深圳市泽芯微科技有限公司
深圳市泽芯微科技有限公司
联系人：柯小姐
电话：0755-8273028382732023
地址：中航路新亚洲国利大厦A座24层12室
32565
n
msop-8
16v
-
进口原装现货，一定自己库存

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1

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制造商
PHILIPS
制造商全称
NXP Semiconductors
功能描述
Dual N-channel enhancement mode MOS transistor

BSH301 技术参数

BSH207,135 功能描述:MOSFET P-CH 12V 1.52A 6TSOP 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:12V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:1.52A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:120 毫欧 @ 1A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:600mV @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:8.8nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:500pF @ 9.6V 功率 - 最大值:417mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-74，SOT-457 供应商器件封装:6-TSOP 标准包装:1 BSH205G2VL 功能描述:MOSFET P-CH 20V 2.3A TO236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101 零件状态:在售 FET 类型:P 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:2.3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:950mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:6.5nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:418pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:480mW（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:170 毫欧 @ 2A，4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:TO-236AB 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 标准包装:10,000 BSH205G2R 功能描述:MOSFET P-CH 20V 2A SOT23 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:P 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:950mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:6.5nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:418pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:480mW（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:170 毫欧 @ 2A，4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:TO-236AB（SOT23）封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 标准包装:1 BSH205,215 功能描述:MOSFET P-CH 12V 0.75A SOT-23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:12V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:750mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:400 毫欧 @ 430mA，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:680mV @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:3.8nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:200pF @ 9.6V 功率 - 最大值:417mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23（TO-236AB）标准包装:1 BSH203,215 功能描述:MOSFET P-CH 30V 470MA SOT23 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:P 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:470mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:680mV @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:2.2nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:110pF @ 24V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:417mW（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:900 毫欧 @ 280mA，4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:TO-236AB（SOT23）封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 标准包装:1 BSL205NH6327XTSA1 BSL205NL6327HTSA1 BSL207NH6327XTSA1 BSL207NL6327HTSA1 BSL207SP BSL207SPH6327XTSA1 BSL207SPL6327HTSA1 BSL211SP BSL211SPH6327XTSA1 BSL211SPL6327HTSA1 BSL211SPT BSL214NH6327XTSA1 BSL214NL6327HTSA1 BSL215CH6327XTSA1 BSL215CL6327HTSA1 BSL215PL6327HTSA1 BSL296SNH6327XTSA1 BSL302SNH6327XTSA1

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