BSI52370000JA18

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

BSI52370000JA18
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：史仙雁
电话：19129911934（手机优先微信同号）0755-82813018
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
100000
Vishay/Sfernice
ROHS
13+
-
全新原装正品欢迎来电400-800-0...

1/1页 40条/页共40条
1

您是不是要找： BSK10-D BSK10-Q BSK14-L BSK14-M BSK18-L BSK18-M BSL202SNH6327XTSA1 BSL202SNL6327HTSA1 BSL205NH6327XTSA1

BSI52370000JA18 PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

BSI52370000JA18 PDF下载

功能描述
线绕电阻器 - 透孔 BSI 523 7K 5% 100PPM AM400 e1
RoHS
否
制造商
Bourns
电阻
10 Ohms
容差
5 %
功率额定值
7 W
温度系数
200 PPM / C
系列
FW
端接类型
Axial
工作温度范围
- 55 C to + 155 C
尺寸
9.5 mm Dia. x 26 mm L
封装
Ammo
产品
Power Resistors Wirewound High Energy

BSI52370000JA18 技术参数

BSHORTNOSE 功能描述:PLIERS COMBO SHORT NOSE 6.5" 制造商:jonard tools 系列:- 零件状态:有效工具类型:组合尖头 - 类型:短嘴尖头 - 形状:成角度钳口?- 类型:有齿特性:压槽，包括剥线器，软握把长度:6.50"（165.1mm）重量:0.4 磅（181.44g）标准包装:10 BSH207,135 功能描述:MOSFET P-CH 12V 1.52A 6TSOP 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:12V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:1.52A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:120 毫欧 @ 1A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:600mV @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:8.8nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:500pF @ 9.6V 功率 - 最大值:417mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-74，SOT-457 供应商器件封装:6-TSOP 标准包装:1 BSH205G2VL 功能描述:MOSFET P-CH 20V 2.3A TO236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101 零件状态:在售 FET 类型:P 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:2.3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:950mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:6.5nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:418pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:480mW（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:170 毫欧 @ 2A，4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:TO-236AB 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 标准包装:10,000 BSH205G2R 功能描述:MOSFET P-CH 20V 2A SOT23 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:P 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:950mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:6.5nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:418pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:480mW（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:170 毫欧 @ 2A，4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:TO-236AB（SOT23）封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 标准包装:1 BSH205,215 功能描述:MOSFET P-CH 12V 0.75A SOT-23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:12V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:750mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:400 毫欧 @ 430mA，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:680mV @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:3.8nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:200pF @ 9.6V 功率 - 最大值:417mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23（TO-236AB）标准包装:1 BSL205NL6327HTSA1 BSL207NH6327XTSA1 BSL207NL6327HTSA1 BSL207SP BSL207SPH6327XTSA1 BSL207SPL6327HTSA1 BSL211SP BSL211SPH6327XTSA1 BSL211SPL6327HTSA1 BSL211SPT BSL214NH6327XTSA1 BSL214NL6327HTSA1 BSL215CH6327XTSA1 BSL215CL6327HTSA1 BSL215PL6327HTSA1 BSL296SNH6327XTSA1 BSL302SNH6327XTSA1 BSL302SNL6327HTSA1