BSO203SP+H

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BSO203SP+H 技术参数

BSO203SP H 功能描述:MOSFET P-CH 20V 7A 8DSO 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:停产 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，2.5V 驱动漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:7A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:21 毫欧 @ 8.9A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:39nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3750pF @ 15V 功率 - 最大值:1.6W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:P-DSO-8 标准包装:1 BSO203PNTMA1 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 8.2A 8SOIC 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:2 个 P 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:8.2A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:21 毫欧 @ 8.2A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:48.6nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2242pF @ 15V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:P-DSO-8 标准包装:1 BSO203PHXUMA1 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 7A 8DSO 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:停产 FET 类型:2 个 P 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:7A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:21 毫欧 @ 8.2A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:39nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3750pF @ 15V 功率 - 最大值:1.6W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:P-DSO-8 标准包装:1 BSO201SPNTMA1 功能描述:MOSFET P-CH 20V 14.9A 8-SOIC 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，2.5V 驱动漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:14.9A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:8 毫欧 @ 14.9A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:128nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:5962pF @ 15V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:P-DSO-8 标准包装:1 BSO201SPHXUMA1 功能描述:MOSFET P-CH 20V 12A 8SOIC 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:P 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:12A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:88nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±12V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:9600pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:1.6W（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:8 毫欧 @ 14.9A，4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:PG-DSO-8 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）标准包装:1 BSO220N03MSGXUMA1 BSO300N03S BSO301SP H BSO301SPHXUMA1 BSO301SPNTMA1 BSO303P H BSO303PHXUMA1 BSO303PNTMA1 BSO303SPHXUMA1 BSO303SPNTMA1 BSO330N02KGFUMA1 BSO350N03 BSO4410 BSO4410T BSO4420 BSO4420T BSO4804 BSO4804HUMA2