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BSO211PT

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  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

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    电话:19129911934(手机优先微信同号)0755-82813018

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

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BSO211PT 技术参数
  • BSO211PNTMA1 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 4.7A 8SOIC 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:2 个 P 沟道(双) FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):4.7A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):67 毫欧 @ 4.7A,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 25μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):23.9nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):920pF @ 15V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:P-DSO-8 标准包装:1 BSO211PHXUMA1 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 4A 8DSO 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:2 个 P 沟道(双) FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):4A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):67 毫欧 @ 4.6A,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 25μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):10nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1095pF @ 15V 功率 - 最大值:1.6W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:PG-DSO-8 标准包装:2,500 BSO207PNTMA1 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 5.7A 8SOIC 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 FET 类型:2 个 P 沟道(双) FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):5.7A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):45 毫欧 @ 5.7A,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 40μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):23.4nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1013pF @ 15V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:P-DSO-8 标准包装:2,500 BSO207PHXUMA1 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 5A 8DSO 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:停产 FET 类型:2 个 P 沟道(双) FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):5A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):45 毫欧 @ 5.7A,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 44μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):16nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1650pF @ 15V 功率 - 最大值:1.6W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:PG-DSO-8 标准包装:1 BSO204PNTMA1 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 7A 8SOIC 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 FET 类型:2 个 P 沟道(双) FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):7A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):30 毫欧 @ 7A,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 60μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):35.8nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1513pF @ 15V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:P-DSO-8 标准包装:2,500 BSO303PNTMA1 BSO303SPHXUMA1 BSO303SPNTMA1 BSO330N02KGFUMA1 BSO350N03 BSO4410 BSO4410T BSO4420 BSO4420T BSO4804 BSO4804HUMA2 BSO4804T BSO4822 BSO4822T BSO604NS2XUMA1 BSO612CV BSO612CVGHUMA1 BSO613SPV
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