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说明
操作

BSO613SPVGHUMA1
深圳市英科美电子有限公司
深圳市英科美电子有限公司
联系人：张先生
电话：0755-23903058
地址：深圳市福田区振兴路西101号华匀大厦1栋7F
16800
INFINEON/英飞凌
SOP-8
22+
-
每一片都来自原厂，正品保证

BSO613SPVGHUMA1
深圳市亿联芯电子科技有限公司
深圳市亿联芯电子科技有限公司
联系人：吴经理
电话：18138401919
地址：深圳市福田区赛格科技园4栋中7楼7B30
69880
TY/台灣半導体
SOP8
2021+
-
★★正规渠道★原厂正品最新货源现货供应★...

BSO613SPVGHUMA1
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：吴
电话：18724450645
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼5层505室
资质：营业执照
100
INFINEON
NA
23+
-
现货！就到京北通宇商城

BSO613SPVGHUMA1
天阳诚业科贸有限公司
天阳诚业科贸有限公司
联系人：洪宝宇
电话：17862669251
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503
资质：营业执照
100
INFINEON
con
#N/A
-
现货常备产品原装可到京北通宇商城查价ww...

BSO613SPVGHUMA1
深圳市德力诚信科技有限公司
深圳市德力诚信科技有限公司
联系人：王小姐
电话：13305449939
地址：深圳市福田区深南中路3031号汉国中心3204室
资质：营业执照
100
INFINEON
con
#N/A
-
现货常备产品原装可到京北通宇商城查价ww...

BSO613SPVGHUMA1
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
865000
INFINEON
原厂封装
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

BSO613SPVGHUMA1
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
5000
INFINEON
1521+
-
全新原装现货

BSO613SPVGHUMA1
深圳市科宏特电子有限公司
深圳市科宏特电子有限公司
联系人：李瑞兵
电话：18897698645
地址：深圳市福田区深南中路华强电子世界三店佳和4C148
36000000
Infineon
22+
-
原装正品

BSO613SPVGHUMA1
科创特电子（香港）有限公司
科创特电子（香港）有限公司
联系人：柯
电话：0755-83014603
地址：深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座907
2500
INFINEON APAC (CHINA)
主营优势
19+
-
100%原装正品★终端免费供样★

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1

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制造商
Infineon Technologies AG
功能描述
Trans MOSFET P-CH 60V 3.44A 8-Pin DSO
制造商
Infineon Technologies AG
功能描述
P-KANAL - Tape and Reel
制造商
Infineon Technologies AG
功能描述
MOSFET P-CH 60V 3.44A DSO-8

BSO613SPVGHUMA1 技术参数

BSO613SPV G 功能描述:MOSFET P-CH 60V 3.44A 8DSO 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:3.44A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:130 毫欧 @ 3.44A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:30nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:875pF @ 25V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:PG-DSO-8 标准包装:1 BSO613SPV 功能描述:MOSFET P-CH 60V 3.44A 8DSO 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:3.44A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:130 毫欧 @ 3.44A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:30nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:875pF @ 25V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:PG-DSO-8 标准包装:2,500 BSO612CVGHUMA1 功能描述:MOSFET N/P-CH 60V 2A 8-SOIC 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:剪切带（CT）零件状态:停产 FET 类型:N 和 P 沟道 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:3A，2A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:120 毫欧 @ 3A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 20μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:15.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:340pF @ 25V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:PG-DSO-8 标准包装:1 BSO612CV 功能描述:MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A 8SOIC 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:N 和 P 沟道 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:3A，2A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:120 毫欧 @ 3A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 20μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:15.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:340pF @ 25V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:P-DSO-8 标准包装:1 BSO604NS2XUMA1 功能描述:MOSFET 2N-CH 55V 5A 8DSO 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:停产 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:55V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:35 毫欧 @ 2.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 30μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:26nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:870pF @ 25V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:P-DSO-8 标准包装:1 BSP 60 E6433 BSP030,115 BSP100,135 BSP110,115 BSP122,115 BSP123E6327T BSP123L6327HTSA1 BSP125 E6327 BSP125 E6433 BSP125H6327XTSA1 BSP125H6433XTMA1 BSP125L6327HTSA1 BSP125L6433HTMA1 BSP126,115 BSP126,135 BSP129E6327 BSP129E6327T BSP129H6327XTSA1

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