BSP-15A-LF/100-0004-32

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BSP-15A-LF/100-0004-32
深圳市深美诺电子科技有限公司
深圳市深美诺电子科技有限公司
联系人：李燕兵
电话：82525918
地址：深圳市福田区华强北路上步工业区101栋5楼517-532室
资质：营业执照
6000
EQUATOR
BGA
22+
-
全新原装现货供应

BSP-15A-LF/100-0004-32
深圳市大源实业科技有限公司
深圳市大源实业科技有限公司
联系人：李女士
电话：1530261991513762584085
地址：深圳市龙岗区五和大道山海商业广场C座707室
7800
EQUATOR
BGA
22+
-
公司原装现货，可订货，有单来谈QQ：16...

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BSP-15A-LF/100-0004-32 技术参数

BSP149L6906HTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:耗尽模式漏源极电压（Vdss）:200V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:660mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.8 欧姆 @ 660mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 400μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:14nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:430pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装:PG-SOT223-4 标准包装:1,000 BSP149L6327HTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:耗尽模式漏源极电压（Vdss）:200V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:660mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.8 欧姆 @ 660mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 400μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:14nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:430pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装:PG-SOT223-4 标准包装:1 BSP149H6906XTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:耗尽模式漏源极电压（Vdss）:200V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:660mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.8 欧姆 @ 660mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 400μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:14nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:430pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装:PG-SOT223-4 标准包装:1 BSP149H6327XTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:耗尽模式漏源极电压（Vdss）:200V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:660mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.8 欧姆 @ 660mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 400μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:14nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:430pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装:PG-SOT223-4 标准包装:1 BSP149 E6906 功能描述:MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:带卷（TR）零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:耗尽模式漏源极电压（Vdss）:200V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:660mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.8 欧姆 @ 660mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 400μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:14nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:430pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装:PG-SOT223-4 标准包装:1,000 BSP171PL6327HTSA1 BSP179H6327XTSA1 BSP18-3K BSP19,115 BSP19AT1 BSP19AT1G BSP19TA BSP220,115 BSP225,115 BSP230,135 BSP250,115 BSP250,135 BSP254A,126 BSP295E6327 BSP295E6327T BSP295H6327XTSA1 BSP295L6327HTSA1 BSP296 E6433