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BSP145 E6327

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    BSP145 E6327

    BSP145 E6327

  • 深圳市奥伟斯科技有限公司
    深圳市奥伟斯科技有限公司

    联系人:江小姐 ADS触摸芯片一级代理

    电话:0755-83254770

    地址:深南中路3006号佳和华强大厦A座7楼整层

    资质:营业执照

  • 15000

  • INFINEON

  • SOT-223

  • 18+

  • -
  • 原装,优势库存

  • BSP145 E6327
    BSP145 E6327

    BSP145 E6327

  • 深圳市亿联芯电子科技有限公司
    深圳市亿联芯电子科技有限公司

    联系人:吴经理

    电话:18138401919

    地址:深圳市福田区赛格科技园4栋中7楼7B30

  • 69880

  • INFINEON

  • SOT-223

  • 2021+

  • -
  • ★★正规渠道★原厂正品最新货源现货供应★...

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BSP145 E6327 技术参数
  • BSP14-3K 功能描述:Terminal Butt Splice, Inline, Individual Openings Connector Crimp 14-18 AWG Blue 制造商:panduit corp 系列:Pan-Term? 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 端子类型:对接接头,直插式,单独开口 进线数:2 端接:压接 线规:14-18 AWG 绝缘:完全绝缘 特性:铜焊缝 颜色:蓝色 标准包装:1 BSP135L6906HTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:耗尽模式 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):120mA(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):45 欧姆 @ 120mA,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 94μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):4.9nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):146pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA 供应商器件封装:PG-SOT223-4 标准包装:1,000 BSP135L6433HTMA1 功能描述:MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:耗尽模式 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):120mA(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):45 欧姆 @ 120mA,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 94μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):4.9nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):146pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA 供应商器件封装:PG-SOT223-4 标准包装:1 BSP135L6327HTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:耗尽模式 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):120mA(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):45 欧姆 @ 120mA,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 94μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):4.9nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):146pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA 供应商器件封装:PG-SOT223-4 标准包装:1,000 BSP135H6906XTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:耗尽模式 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):120mA(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):45 欧姆 @ 120mA,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 94μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):4.9nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):146pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA 供应商器件封装:PG-SOT223-4 标准包装:1,000 BSP170PE6327T BSP170PH6327XTSA1 BSP170PL6327HTSA1 BSP171PE6327 BSP171PE6327T BSP171PH6327XTSA1 BSP171PL6327HTSA1 BSP179H6327XTSA1 BSP18-3K BSP19,115 BSP19AT1 BSP19AT1G BSP19TA BSP220,115 BSP225,115 BSP230,135 BSP250,115 BSP250,135
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