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BSP225T/R

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  • BSP225T/R
    BSP225T/R

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

    电话:0755-2394163213723794312(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

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  • 制造商全称
  • 未知厂家
  • 功能描述
  • TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 225MA I(D) | SOT-223
BSP225T/R 技术参数
  • BSP225,115 功能描述:MOSFET P-CH 250V 0.225A SOT223 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:P 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):250V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):225mA(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.8V @ 1mA Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):90pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):1.5W(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):15 欧姆 @ 200mA,10V 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:SOT-223 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA 标准包装:1 BSP220,115 功能描述:MOSFET P-CH 200V 0.225A SOT223 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:P 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):225mA(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.8V @ 1mA Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):90pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):1.5W(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):12 欧姆 @ 200mA,10V 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:SOT-223 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA 标准包装:1 BSP19TA 功能描述:TRANS NPN 350V 0.5A SOT-223 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:Digi-Reel? 零件状态:过期 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):500mA 电压 - 集射极击穿(最大值):350V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):500mV @ 4mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):20nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):50 @ 100mA,5V 功率 - 最大值:2W 频率 - 跃迁:70MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA 供应商器件封装:SOT-223 标准包装:1 BSP19AT1G 功能描述:TRANS NPN 350V 0.1A SOT223 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):350V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):500mV @ 4mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):20nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):40 @ 20mA,10V 功率 - 最大值:800mW 频率 - 跃迁:70MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA 供应商器件封装:SOT-223 标准包装:1 BSP19AT1 功能描述:TRANS NPN 350V 0.1A SOT223 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):350V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):500mV @ 4mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):20nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):40 @ 20mA,10V 功率 - 最大值:800mW 频率 - 跃迁:70MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA 供应商器件封装:SOT-223 标准包装:10 BSP296E6327 BSP296L6327HTSA1 BSP296L6433HTMA1 BSP296NH6327XTSA1 BSP296NH6433XTMA1 BSP297 E6327 BSP297H6327XTSA1 BSP297L6327HTSA1 BSP298 E6327 BSP298H6327XUSA1 BSP298L6327HUSA1 BSP299 E6327 BSP299H6327XUSA1 BSP299L6327HUSA1 BSP300 E6327 BSP300H6327XUSA1 BSP300L6327HUSA1 BSP304A,126
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