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BSP254A126

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    BSP254A126

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  • 北京首天伟业科技有限公司
    北京首天伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6256544762566447

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1010室

    资质:营业执照

  • 5000

  • PHILIPS

  • SOT54.V

  • 07+

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  • 百分百原装正品,质量保障价格及优

  • BSP254A126
    BSP254A126

    BSP254A126

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

    电话:0755-2394163213723794312(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

  • 853240

  • PHILIPS

  • 原厂封装

  • 最新批号

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BSP254A126 技术参数
  • BSP254A,126 功能描述:MOSFET P-CH 250V 0.2A SOT54 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):250V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):200mA(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):15 欧姆 @ 200mA,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.8V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):90pF @ 25V 功率 - 最大值:1W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线) 供应商器件封装:TO-92-3 标准包装:2,000 BSP250,135 功能描述:MOSFET P-CH 30V 3A SOT223 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:P 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):3A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.8V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):25nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):250pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散(最大值):1.65W(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):250 毫欧 @ 1A,10V 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:SOT-223 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA 标准包装:1 BSP250,115 功能描述:MOSFET P-CH 30V 3A SOT223 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:P 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):3A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.8V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):25nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):250pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散(最大值):1.65W(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):250 毫欧 @ 1A,10V 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:SOT-223 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA 标准包装:1 BSP230,135 功能描述:MOSFET P-CH 300V 0.21A SOT223 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:P 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):300V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):210mA(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.55V @ 1mA Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):90pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):1.5W(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):17 欧姆 @ 170mA,10V 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:SOT-223 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA 标准包装:1 BSP225,115 功能描述:MOSFET P-CH 250V 0.225A SOT223 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:P 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):250V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):225mA(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.8V @ 1mA Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):90pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):1.5W(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):15 欧姆 @ 200mA,10V 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:SOT-223 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA 标准包装:1 BSP296NH6433XTMA1 BSP297 E6327 BSP297H6327XTSA1 BSP297L6327HTSA1 BSP298 E6327 BSP298H6327XUSA1 BSP298L6327HUSA1 BSP299 E6327 BSP299H6327XUSA1 BSP299L6327HUSA1 BSP300 E6327 BSP300H6327XUSA1 BSP300L6327HUSA1 BSP304A,126 BSP31,115 BSP3-120 BSP3-120-LC BSP315P-E6327
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