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BSP300E6327
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
5000
INF
TO223
0922+
-
全新原装现货

BSP300E6327
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210479162106431621045786210493162104891
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
4000
原厂品牌
标准封装
13+
-
全新原装100%正品保证质量

BSP300E6327
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162106431621048916210479162104578
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
638850
INF
TO223
最新批次
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OEM渠道，价格超越代理！

BSP300E6327
深圳市湘达电子有限公司
深圳市湘达电子有限公司
联系人：朱平
电话：0755-83229772-83202753
地址：办公地址帮我改成深圳市福田区红荔路上步工业区201栋东座4楼F02室
1851
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原厂
21+
-
百分百进口原装现货，价格有优势。

BSP300E6327
深圳市蓝山航业电子科技有限公司
深圳市蓝山航业电子科技有限公司
联系人：陈伟
电话：0755-83979745
地址：新亚洲二期N2A090
500000
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22+
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行业低价，代理渠道

BSP300E6327
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
865000
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1000trsmd
最新批号
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代理此型号，原装特价现货！

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BSP300E6327 技术参数

BSP300 E6327 功能描述:MOSFET N-CH 800V 190MA SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:带卷（TR）零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:800V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:190mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:20 欧姆 @ 190mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:230pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装:PG-SOT223-4 标准包装:1,000 BSP299L6327HUSA1 功能描述:MOSFET N-CH 500V 400MA SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:500V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:400mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4 欧姆 @ 400mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:400pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装:PG-SOT223-4 标准包装:1 BSP299H6327XUSA1 功能描述:MOSFET N-CH 500V 0.4A SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:500V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:400mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4 欧姆 @ 400mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:400pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装:PG-SOT223-4 标准包装:1 BSP299 E6327 功能描述:MOSFET N-CH 500V 400MA SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:带卷（TR）零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:500V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:400mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4 欧姆 @ 400mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:400pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装:PG-SOT223-4 标准包装:1,000 BSP298L6327HUSA1 功能描述:MOSFET N-CH 400V 500MA SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:400V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:500mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3 欧姆 @ 500mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:400pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装:PG-SOT223-4 标准包装:1,000 BSP315PL6327HTSA1 BSP316PE6327 BSP316PE6327T BSP316PH6327XTSA1 BSP316PL6327HTSA1 BSP317PE6327 BSP317PE6327T BSP317PH6327XTSA1 BSP317PL6327HTSA1 BSP318S E6327 BSP318SH6327XTSA1 BSP318SL6327HTSA1 BSP32,115 BSP3-208/240 BSP3-208/240-LC BSP320S E6327 BSP320S E6433 BSP320SH6327XTSA1

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