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BSP315E6327SOT223

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BSP315E6327SOT223 技术参数
  • BSP3-120-LC 功能描述:SURGE PROTECTOR 120V DRIVER 制造商:thomas research products 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 电压 - 工作:120V 电压 - 箝位:600V 技术:混合技术 功率(W):- 电路数:1 应用:LED 保护 封装/外壳:模块,导线引线 供应商器件封装:- 标准包装:50 BSP3-120 功能描述:SURGE PROTECTOR 120V DRIVER 制造商:thomas research products 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 电压 - 工作:120V 电压 - 箝位:600V 技术:混合技术 功率(W):- 电路数:1 应用:LED 保护 封装/外壳:模块,导线引线 供应商器件封装:- 标准包装:50 BSP31,115 功能描述:TRANS PNP 60V 1A SOT223 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):1A 电压 - 集射极击穿(最大值):60V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):500mV @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):100 @ 100mA,5V 功率 - 最大值:1.3W 频率 - 跃迁:100MHz 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA 供应商器件封装:SOT-223 基本零件编号:BSP31 标准包装:1 BSP304A,126 功能描述:MOSFET P-CH 300V 0.17A SOT54 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):300V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):170mA(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):17 欧姆 @ 170mA,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.55V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):90pF @ 25V 功率 - 最大值:1W 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线) 供应商器件封装:TO-92-3 标准包装:2,000 BSP300L6327HUSA1 功能描述:MOSFET N-CH 800V 190MA SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):800V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):190mA(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):20 欧姆 @ 190mA,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):230pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA 供应商器件封装:PG-SOT223-4 标准包装:1,000 BSP317PE6327T BSP317PH6327XTSA1 BSP317PL6327HTSA1 BSP318S E6327 BSP318SH6327XTSA1 BSP318SL6327HTSA1 BSP32,115 BSP3-208/240 BSP3-208/240-LC BSP320S E6327 BSP320S E6433 BSP320SH6327XTSA1 BSP320SH6433XTMA1 BSP320SL6327HTSA1 BSP320SL6433HTMA1 BSP321PH6327XTSA1 BSP321PL6327HTSA1 BSP322PH6327XTSA1
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