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BSP603S2LHUMA1

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  • 上海鑫科润电子科技有限公司
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  • 深圳市众芯微电子有限公司
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    联系人:陈小姐

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  • 北京京北通宇电子元件有限公司
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  • 深圳市德力诚信科技有限公司
    深圳市德力诚信科技有限公司

    联系人:王小姐

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  • 中山市翔美达电子科技有限公司
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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
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    联系人:朱先生/李小姐

    电话:0755-2394163213723794312(微信同号)

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  • 深圳市博盛源科技有限公司
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    联系人:朱先生

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  • 深圳市正永电子有限公司
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    联系人:陈小姐

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  • 科创特电子(香港)有限公司
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  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • Trans MOSFET N-CH 55V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223
  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • MOSFET - Tape and Reel
  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 55V 5.2A SOT-223
BSP603S2LHUMA1 技术参数
  • BSP60,115 功能描述:TRANS PNP DARL 45V 1A SOT223 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级,AEC-Q101 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 晶体管类型:PNP - 达林顿 电流 - 集电极(Ic)(最大值):1A 电压 - 集射极击穿(最大值):45V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1.3V @ 500μA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):50nA 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):2000 @ 500mA,10V 功率 - 最大值:1.25W 频率 - 跃迁:200MHz 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA 供应商器件封装:SOT-223 基本零件编号:BSP60 标准包装:1 BSP52T3G 功能描述:TRANS NPN DARL 80V 1A SOT-223 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:NPN - 达林顿 电流 - 集电极(Ic)(最大值):1A 电压 - 集射极击穿(最大值):80V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1.3V @ 500μA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):10μA 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):2000 @ 500mA,10V 功率 - 最大值:800mW 频率 - 跃迁:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA 供应商器件封装:SOT-223 标准包装:1 BSP52T3 功能描述:TRANS NPN DARL 80V 1A SOT-223 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 晶体管类型:NPN - 达林顿 电流 - 集电极(Ic)(最大值):1A 电压 - 集射极击穿(最大值):80V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1.3V @ 500μA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):10μA 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):2000 @ 500mA,10V 功率 - 最大值:800mW 频率 - 跃迁:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA 供应商器件封装:SOT-223 标准包装:4,000 BSP52T1G 功能描述:TRANS NPN DARL 80V 1A SOT223 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:NPN - 达林顿 电流 - 集电极(Ic)(最大值):1A 电压 - 集射极击穿(最大值):80V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1.3V @ 500μA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):10μA 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):2000 @ 500mA,10V 功率 - 最大值:800mW 频率 - 跃迁:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA 供应商器件封装:SOT-223 标准包装:1 BSP52T1 功能描述:TRANS NPN DARL 80V 1A SOT223 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 晶体管类型:NPN - 达林顿 电流 - 集电极(Ic)(最大值):1A 电压 - 集射极击穿(最大值):80V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1.3V @ 500μA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):10μA 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):2000 @ 500mA,10V 功率 - 最大值:800mW 频率 - 跃迁:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA 供应商器件封装:SOT-223 标准包装:10 BSP61E6327HTSA1 BSP61H6327XTSA1 BSP62,115 BSP62E6327HTSA1 BSP62H6327XTSA1 BSP716NH6327XTSA1 BSP742R BSP742RI BSP742RIXUMA1 BSP742RXUMA1 BSP742T BSP742TXUMA1 BSP752R BSP752RXUMA2 BSP752T BSP752TXUMA1 BSP75GQTA BSP75GQTC
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