BSP60T/R

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

BSP60T/R
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210479162106431621045786210493162104891
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
PHILIPS
NULL
NULL
-
假一罚十，百分百原装正品

BSP60T/R
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：何芝
电话：19129491934(手机优先微信同号)0755-82865099
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
5000
PHILIPS
标准封装
13+
-
全新原装，现货，价优！

1/1页 40条/页共4条
1

您是不是要找： BSP61,115 BSP612PH6327XTSA1 BSP613P BSP613PH6327XTSA1 BSP613PL6327HUSA1 BSP615S2L BSP615S2LHUMA1 BSP61E6327HTSA1 BSP61H6327XTSA1

BSP60T/R PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

BSP60T/R PDF下载

制造商
未知厂家
制造商全称
未知厂家
功能描述
TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 45V V(BR)CEO | 2A I(C) | SOT-223

BSP60T/R 技术参数

BSP60H6327XTSA1 功能描述:TRANS PNP DARL 45V 1A SOT223 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:上次购买时间晶体管类型:PNP - 达林顿电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:45V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.8V @ 1mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:10μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:2000 @ 500mA，10V 功率 - 最大值:1.5W 频率 - 跃迁:200MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装:PG-SOT223-4 标准包装:1,000 BSP60E6327HTSA1 功能描述:TRANS PNP DARL 45V 1A SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期晶体管类型:PNP - 达林顿电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:45V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.8V @ 1mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:10μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:2000 @ 500mA，10V 功率 - 最大值:1.5W 频率 - 跃迁:200MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装:PG-SOT223-4 标准包装:1,000 BSP603S2LHUMA1 功能描述:MOSFET N-CH 55V 5.2A SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:55V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5.2A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:33 毫欧 @ 2.6A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 50μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:42nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1390pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装:PG-SOT223-4 标准包装:4,000 BSP60,115 功能描述:TRANS PNP DARL 45V 1A SOT223 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:剪切带（CT）零件状态:在售晶体管类型:PNP - 达林顿电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:45V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.3V @ 500μA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:2000 @ 500mA，10V 功率 - 最大值:1.25W 频率 - 跃迁:200MHz 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装:SOT-223 基本零件编号:BSP60 标准包装:1 BSP52T3G 功能描述:TRANS NPN DARL 80V 1A SOT-223 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:NPN - 达林顿电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.3V @ 500μA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:2000 @ 500mA，10V 功率 - 最大值:800mW 频率 - 跃迁:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装:SOT-223 标准包装:1 BSP62,115 BSP62E6327HTSA1 BSP62H6327XTSA1 BSP716NH6327XTSA1 BSP742R BSP742RI BSP742RIXUMA1 BSP742RXUMA1 BSP742T BSP742TXUMA1 BSP752R BSP752RXUMA2 BSP752T BSP752TXUMA1 BSP75GQTA BSP75GQTC BSP75GTA BSP75NHUMA1