BSP75NE6327

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BSP75NE6327 技术参数

BSP75GTA 功能描述:电源开关 IC - 配电 TobereleasedQ4/03 RoHS:否制造商:Exar 输出端数量:1 开启电阻（最大值）:85 mOhms 开启时间（最大值）:400 us 关闭时间（最大值）:20 us 工作电源电压:3.2 V to 6.5 V 电源电流（最大值）: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23-5 BSP75GQTC 功能描述:MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT223 制造商:diodes incorporated 系列:汽车级，AEC-Q101 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:1.6A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- Vgs（最大值）:- FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.5W（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:550 毫欧 @ 700mA, 10V 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:SOT-223 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 标准包装:4,000 BSP75GQTA 功能描述:MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT223 制造商:diodes incorporated 系列:汽车级，AEC-Q101 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:1.6A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- Vgs（最大值）:- FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.5W（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:550 毫欧 @ 700mA, 10V 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:SOT-223 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 标准包装:1,000 BSP752TXUMA1 功能描述:IC SW 1CH 60V HISIDE 8POWERSOIC 制造商:infineon technologies 系列:miniPROFET? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售开关类型:通用输出数:1 比率 - 输入:输出:1:1 输出配置:高端输出类型:N 通道接口:开/关电压 - 负载:6 V ~ 52 V 电压 - 电源（Vcc/Vdd）:不需要电流 - 输出（最大值）:1.3A 导通电阻（典型值）:150 毫欧输入类型:非反相特性:- 故障保护:限流（固定），超温，过压工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:P-DSO-8 基本零件编号:BSP752 标准包装:1 BSP752T 功能描述:电源开关 IC - 配电 DSO-8-6 RoHS:否制造商:Exar 输出端数量:1 开启电阻（最大值）:85 mOhms 开启时间（最大值）:400 us 关闭时间（最大值）:20 us 工作电源电压:3.2 V to 6.5 V 电源电流（最大值）: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23-5 BSP77 E6327 BSP772T BSP772TXUMA1 BSP77E6433HUMA1 BSP78 E6327 BSP78HUMA1 BSP88E6327 BSP88H6327XTSA1 BSP88L6327HTSA1 BSP89 E6327 BSP89,115 BSP89H6327XTSA1 BSP89L6327HTSA1 BSP92P E6327 BSP92PH6327XTSA1 BSP92PL6327HTSA1 BSPCF BSPCM