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BSS127IXTSA1
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：吴
电话：18724450645
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼5层505室
资质：营业执照
2223
INFINEON
NA
2101
-
现货！就到京北通宇商城

BSS127IXTSA1
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：吴
电话：18724450645
地址：中国上海
2223
INFINEON
NA
2101
-
查现货！就到京北通宇商城

BSS127IXTSA1
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：洪宝宇
电话：17862669251
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦505（京北通宇）
资质：营业执照
0
INFINEON
NA
23+
-
MOSFET

BSS127IXTSA1
天阳诚业科贸有限公司
天阳诚业科贸有限公司
联系人：洪宝宇
电话：17862669251
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503
资质：营业执照
2223
INFINEON
con
2101
-
现货常备产品原装可到京北通宇商城查价

BSS127IXTSA1
深圳市德力诚信科技有限公司
深圳市德力诚信科技有限公司
联系人：王小姐
电话：13305449939
地址：深圳市福田区深南中路3031号汉国中心3204室
资质：营业执照
2223
INFINEON
con
2101
-
现货常备产品原装可到京北通宇商城查价ww...

BSS127IXTSA1
深圳市澳亿芯电子科技有限公司
深圳市澳亿芯电子科技有限公司
联系人：廖R
电话：13163738578
地址：龙岗区坂田五和大道山海大厦c 栋707
10
INFINEON
C72-晶体管
-

BSS127IXTSA1
深圳市盛芯世纪科技有限公司
深圳市盛芯世纪科技有限公司
联系人：杨先生，www.dz-ic.cn
电话：0755-8397991513312996395
地址：深圳市福田区中航路都会100大厦B座6F
资质：营业执照
10
INFINEON
INFINEON
21+
-
原装正品www.dz-ic.cn

BSS127IXTSA1
深圳市十德盛科技有限公司
深圳市十德盛科技有限公司
联系人：李先生
电话：0755-8271907113336545634
地址：深圳市福田区华强路世贸广场A座14楼15A09
资质：营业执照
2930
Infineon(英飞凌)
22+
-
全新原装现货

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BSS127IXTSA1 技术参数

BSS127H6327XTSA2 功能描述:MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT-23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，4.5V 驱动漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:21mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:500 欧姆 @ 16mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.6V @ 8μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:1nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:28pF @ 25V 功率 - 最大值:500mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:PG-SOT23-3 标准包装:1 BSS127H6327XTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:带卷（TR）零件状态:停產 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:21mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.6V @ 8μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:1nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:28pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:500mW（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:500 欧姆 @ 16mA，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:PG-SOT23-3 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 标准包装:3,000 BSS127 H6327 功能描述:MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，4.5V 驱动漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:21mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:500 欧姆 @ 16mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.6V @ 8μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:1nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:28pF @ 25V 功率 - 最大值:500mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:PG-SOT23-3 标准包装:3,000 BSS127 E6327 功能描述:MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT-23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，4.5V 驱动漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:21mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:500 欧姆 @ 16mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.6V @ 8μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:1nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:28pF @ 25V 功率 - 最大值:500mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:PG-SOT23-3 标准包装:3,000 BSS126L6906HTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT-23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:耗尽模式漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:21mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:500 欧姆 @ 16mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.6V @ 8μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:2.1nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:28pF @ 25V 功率 - 最大值:500mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:PG-SOT23-3 标准包装:3,000 BSS138_F085 BSS138_L99Z BSS138-7 BSS138-7-F BSS138AKA/LF1R BSS138AKAR BSS138BK,215 BSS138BKS,115 BSS138BKVL BSS138BKW,115 BSS138BKW-BX BSS138-D87Z BSS138DW-7 BSS138DW-7-F BSS138DWQ-13 BSS138DWQ-7 BSS138-F085 BSS138K

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