BSS135_代理商_批发/采购【买卖IC网】BSS135

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说明
操作

BSS135
北京京华特科技有限公司
北京京华特科技有限公司
联系人：张小姐/韩先生
电话：010-86398446-8061581080972213911315253
地址：北京市朝阳区建国门外大街9号楼603室
8974
SEMIMES
TO-92
04+
-
北京原装现货S

BSS135
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162106431621048916210479162104578
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
SIEMENS
09/10+
-
假一罚十，百分百原装正品

BSS135
深圳市英科美电子有限公司
深圳市英科美电子有限公司
联系人：张先生
电话：0755-23903058
地址：深圳市福田区振兴路西101号华匀大厦1栋7F
16800
INFINEON/英飞凌
TO-92
22+
-
每一片都来自原厂，正品保证

BSS135
深圳廊盛科技有限公司
深圳廊盛科技有限公司
联系人：李小姐
电话：18229386512
地址：上步工业区501栋410室
20000
INFINEON/英飞凌
TO-92
23+
-
原装正品欢迎咨询

BSS135
深圳市硅宇电子有限公司
深圳市硅宇电子有限公司
联系人：唐先生
电话：134242936540755-83690762
地址：深圳市福田区福虹路世界贸易广场A座1503
资质：营业执照
1230
INFINEO
TO-92
01+
-
原装现货/特价

BSS135
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
联系人：赖先生
电话：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦A座27楼2702号
资质：营业执照
2000
SIE
TO-92
2024+
-
绝对现货

BSS135
深圳市芯睿晨科技有限公司
深圳市芯睿晨科技有限公司
联系人：李小姐/肖先生
电话：0755-8257149682571956
地址：赛格广场69楼6900
资质：营业执照
21055
SEMENS
TO252
21+
-
★假一赔十!绝对原装现货市场最低价！★

BSS135
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
865000
Siemens
TO-92
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

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制造商
INFINEON
制造商全称
Infineon Technologies AG
功能描述
SIPMOS Small-Signal Transistor (N channel Depletion mode High dynamic resistance)

BSS135 技术参数

BSS131L6327HTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 240V .11A SOT-23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:240V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:110mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:14 欧姆 @ 100mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.8V @ 56μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:3.1nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:77pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:PG-SOT23-3 标准包装:3,000 BSS131H6327XTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 240V 0.11A SOT23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:240V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:110mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.8V @ 56μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:3.1nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:77pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:360mW（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:14 欧姆 @ 100mA，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:PG-SOT23-3 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 标准包装:1 BSS131E6327 功能描述:MOSFET N-CH 240V .11A SOT-23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:240V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:110mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:14 欧姆 @ 100mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.8V @ 56μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:3.1nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:77pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:PG-SOT23-3 标准包装:1 BSS131 H6327 功能描述:MOSFET N-CH 240V 0.11A SOT23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:240V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:110mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:14 欧姆 @ 100mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.8V @ 56μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:3.1nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:77pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:PG-SOT23-3 标准包装:1 BSS127SSN-7 功能描述:MOSFET N-CH 600V 50MA SC59 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:50mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:160 欧姆 @ 16mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:1.08nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:21.8pF @ 25V 功率 - 最大值:610mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SC-59 标准包装:1 BSS138BKS,115 BSS138BKVL BSS138BKW,115 BSS138BKW-BX BSS138-D87Z BSS138DW-7 BSS138DW-7-F BSS138DWQ-13 BSS138DWQ-7 BSS138-F085 BSS138K BSS138L BSS138LT1 BSS138LT1G BSS138LT3 BSS138LT3G BSS138N E6433 BSS138N E6908

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