您好，欢迎来到买卖IC网登录 | 免费注册

BSS192T/R

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

BSS192T/R
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
865000
PHILIPS-SEMI
原厂封装
最新批号
-
代理此型号，原装正品现货！！

1/1页 40条/页共1条
1

您是不是要找： BSS205N H6327 BSS205NH6327XTSA1 BSS205NL6327HTSA1 BSS209PW BSS209PW L6327 BSS209PWH6327XTSA1 BSS214N H6327 BSS214NH6327XTSA1 BSS214NL6327HTSA1

BSS192T/R PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

BSS192T/R PDF下载

制造商
PHILIPS-SEMI
功能描述

BSS192T/R 技术参数

BSS192PL6327HTSA1 功能描述:MOSFET P-CH 250V 0.19A SOT-89 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:250V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:190mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:12 欧姆 @ 190mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 130μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:6.1nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:104pF @ 25V 功率 - 最大值:1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:PG-SOT89 标准包装:1 BSS192PH6327XTSA1 功能描述:MOSFET P-CH 250V 190MA SOT89 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:250V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:190mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:12 欧姆 @ 190mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 130μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:6.1nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:104pF @ 25V 功率 - 最大值:1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:PG-SOT89 标准包装:1,000 BSS192PH6327FTSA1 功能描述:MOSFET P-CH 250V 0.19A SOT-89 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:250V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:190mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:12 欧姆 @ 190mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 130μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:6.1nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:104pF @ 25V 功率 - 最大值:1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:PG-SOT89 标准包装:1 BSS192PE6327T 功能描述:MOSFET P-CH 250V 0.19A SOT-89 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:250V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:190mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:12 欧姆 @ 190mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 130μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:6.1nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:104pF @ 25V 功率 - 最大值:1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:PG-SOT89 标准包装:1 BSS192PE6327 功能描述:MOSFET P-CH 250V 0.19A SOT-89 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:250V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:190mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:12 欧姆 @ 190mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 130μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:6.1nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:104pF @ 25V 功率 - 最大值:1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:PG-SOT89 标准包装:1 BSS214NW L6327 BSS214NWH6327XTSA1 BSS215P H6327 BSS215PH6327XTSA1 BSS215PL6327HTSA1 BSS223PW L6327 BSS223PWH6327XTSA1 BSS225 BSS225H6327FTSA1 BSS225H6327XTSA1 BSS225L6327HTSA1 BSS306N H6327 BSS306NH6327XTSA1 BSS306NL6327HTSA1 BSS308PE H6327 BSS308PEH6327XTSA1 BSS308PEL6327HTSA1 BSS314PE H6327