BSZ22DN20NS3G_代理商_批发/采购【买卖IC网】BSZ22DN20NS3G

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

BSZ22DN20NS3GATMA1
现货
集好芯城
集好芯城
联系人：张育豪 13360528695
电话：0755-23607487
地址：深圳市福田区华富路1006号航都大厦11楼一层
资质：营业执照
41500
INFINEON/英飞凌
TSDSON-8
22+
-
原厂原装现货

BSZ22DN20NS3G
深圳市英科美电子有限公司
深圳市英科美电子有限公司
联系人：张先生
电话：0755-23903058
地址：深圳市福田区振兴路西101号华匀大厦1栋7F
16800
INFINEON/英飞凌
PG-TSDSON-8
22+
-
每一片都来自原厂，正品保证

BSZ22DN20NS3GATMA1
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：洪宝宇
电话：17862669251
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦505（京北通宇）
资质：营业执照
200
INFINEON
NA
23+
-
功率MOSFET

BSZ22DN20NS3GATMA1
天阳诚业科贸有限公司
天阳诚业科贸有限公司
联系人：洪宝宇
电话：17862669251
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503
资质：营业执照
100
INFINEON
con
#N/A
-
现货常备产品原装可到京北通宇商城查价

BSZ22DN20NS3G
深圳市亿联芯电子科技有限公司
深圳市亿联芯电子科技有限公司
联系人：吴经理
电话：18138401919
地址：深圳市福田区赛格科技园4栋中7楼7B30
69880
INFINEON/英飞凌
QFN
2021+
-
★★正规渠道★原厂正品最新货源现货供应★...

BSZ22DN20NS3GATMA1
深圳市华创欧科技有限公司
深圳市华创欧科技有限公司
联系人：朱先生
电话：2394575513590206539
地址：深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼4A68-2室
28100
INFINEON
SMD
2022+
-
原装正品，公司现货库存假一罚十，电话：0...

BSZ22DN20NS3GATMA1
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：吴
电话：18724450645
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼5层505室
资质：营业执照
100
INFINEON
NA
23+
-
现货！就到京北通宇商城

BSZ22DN20NS3GATMA1
深圳市铭昌源科技有限公司
深圳市铭昌源科技有限公司
联系人：优质现货代理商
电话：0755-82774613邓先生（13480915249）微信同步0755-82774613邓先生
地址：深圳市福田区工发路上步管理大厦501栋501室
资质：营业执照
17937
INFINEON
SMD
22+
-
优势代理，公司现货可开票

BSZ22DN20NS3GATMA1
中山市翔美达电子科技有限公司
中山市翔美达电子科技有限公司
联系人：朱小姐
电话：155020706551802218672813590991023
地址：火炬开发区中山港大道99号金盛广场1栋613室
3000
英飞凌
TO-3P
22+
-
原装现货

BSZ22DN20NS3G
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
865000
INFINEON
QFN
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

BSZ22DN20NS3GATMA1
深圳市华盛锦科技有限公司
深圳市华盛锦科技有限公司
联系人：张先生/雷小姐
电话：0755-83795896
地址：深圳市福田区华强北街道赛格广场55楼5566室
资质：营业执照
68000
INFINEON
N/A最新
21+原厂授权
-
★原厂授权★价超代理★

BSZ22DN20NS3G
深圳市华盛锦科技有限公司
深圳市华盛锦科技有限公司
联系人：张先生/雷小姐
电话：0755-8279802015814679726（承诺只售原装正品，终端BOM配单一站式服务）
地址：华强街道赛格广场55楼5566室
资质：营业执照
36890
INFEINON
TSDSON
21+原厂授权
-

BSZ22DN20NS3G
深圳市杰世特电子有限公司
深圳市杰世特电子有限公司
联系人：林S
电话：18927460633
地址：深圳市福田区振华路118号华丽大厦2栋2单元535
0
21+
3800
QFN
-
进口原装现货支持实单价优

BSZ22DN20NS3GATMA1
深圳市华思半导体技术有限公司
深圳市华思半导体技术有限公司
联系人：陈先生
电话：0755-8329998313662227781
地址：华强北路华强广场B座27K
资质：营业执照
18000
INFINEON/英飞凌
原厂封装
23+
-
全新原装现货，特价支持

BSZ22DN20NS3G
深圳市十德盛科技有限公司
深圳市十德盛科技有限公司
联系人：李先生
电话：0755-8271907113336545634
地址：深圳市福田区华强路世贸广场A座14楼15A09
资质：营业执照
13494
Infineon(英飞凌)
22+
-
全新原装现货

BSZ22DN20NS3GATMA1
科创特电子（香港）有限公司
科创特电子（香港）有限公司
联系人：柯
电话：0755-83014603
地址：深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座907
5000
INFINEON APAC (CHINA)
主营优势
19+
-
100%原装正品★终端免费供样★

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功能描述
MOSFET N-CH 200V 7A
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
650 V
闸/源击穿电压
25 V
漏极连续电流
130 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作温度
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
Max247
封装
Tube

BSZ22DN20NS3G 技术参数

BSZ22DN20NS3 G 功能描述:MOSFET N-CH 200V 7A 8TSDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:200V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:7A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:225 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 13μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:5.6nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:430pF @ 100V 功率 - 最大值:34W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TSDSON-8（3.3x3.3）标准包装:1 BSZ215CHXTMA1 功能描述:MOSFET N/P-CH 20V 8TDSON 制造商:infineon technologies 系列:汽车级，AEC-Q101，OptiMOS? 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:N 和 P 沟道互补型 FET 功能:逻辑电平栅极，2.5V 驱动漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5.1A， 3.2A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:55 毫欧 @ 5.1A， 4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.4V @ 110μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:2.8nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:419pF @ 10V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TSDSON-8-FL（3.3x3.3）标准包装:5,000 BSZ180P03NS3GATMA1 功能描述:MOSFET P-CH 30V 39.6A TSDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:9A（Ta），39.6A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:18 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.1V @ 48μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:30nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2220pF @ 15V 功率 - 最大值:2.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TSDSON-8（3.3x3.3）标准包装:5,000 BSZ180P03NS3EGATMA1 功能描述:MOSFET P-CH 30V 39.6A TSDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:P 沟道技术:MOSFET (Metal Oxide) 漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:9A（Ta），39.5A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:18 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.1V @ 48μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:30nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2220pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:* 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TSDSON-8 标准包装:1 BSZ16DN25NS3GATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TSDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:250V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:10.9A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 32μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:11.4nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:920pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:62.5W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:165 毫欧 @ 5.5A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:PG-TSDSON-8 封装/外壳:8-PowerTDFN 标准包装:1 BSZ440N10NS3GATMA1 BSZ520N15NS3 G BSZ520N15NS3GATMA1 BSZ900N15NS3 G BSZ900N15NS3GATMA1 BSZ900N20NS3 G BSZ900N20NS3GATMA1 BT/RT-18X26.5-A BT00M12S-3P BT-01-50M BT-02-50M BT05-2A66 BT-1 BT1.5I-C BT1.5I-C0 BT1.5I-M BT1.5I-M0 BT1.5I-M1