BT01R45-10SP

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BT01R45-10SP
北京元坤伟业科技有限公司
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联系人：刘先生
电话：010-6210493162106431621048916210479162104578
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
638850
ATMEL
QFN
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-
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BT01R45-10SP
深圳市亿联芯电子科技有限公司
深圳市亿联芯电子科技有限公司
联系人：吴经理
电话：18138401919
地址：深圳市福田区赛格科技园4栋中6楼6B01
69880
ATMEL
QFN
2021+
-
★★正规渠道★原厂正品最新货源现货供应★...

BT01R45-10SP
深圳市一线半导体有限公司
深圳市一线半导体有限公司
联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
电话：0755-837892031333298700517727932378
地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F
9800
ATMEL
QFN32
18+
-
优势库存，原装现货

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BT01R45-10SP 技术参数

BT-01-50M 功能描述:BONDATHERM EQUALIZER DISPENSE GU 制造商:wakefield-vette 系列:BondaTherm? 零件状态:在售类型:敷料器，环氧树脂标准包装:1 BT00M12S-3P 功能描述:BT 5015 2C 2#16 PIN 制造商:amphenol aerospace operations 系列:* 零件状态:有效标准包装:1 BT/RT-18X26.5-A 功能描述:SPECIAL TRIM FOR 82387-0027 制造商:omron automation and safety 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 BSZ900N20NS3GATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 200V 15.2A 8TSDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:200V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:15.2A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 30μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:11.6nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:920pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:62.5W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:90 毫欧 @ 7.6A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:PG-TSDSON-8 封装/外壳:8-PowerTDFN 标准包装:1 BSZ900N20NS3 G 功能描述:MOSFET N-CH 200V 15.2A 8TSDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:200V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:15.2A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:90 毫欧 @ 7.6A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 30μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:11.6nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:920pF @ 100V 功率 - 最大值:62.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TSDSON-8（3.3x3.3）标准包装:1 BT1.5I-M2 BT1.5I-M3 BT1.5I-M30 BT1.5I-M300 BT1.5I-M39 BT1.5I-M4 BT1.5I-M4Y BT1.5I-M5 BT1.5I-M6 BT1.5I-M7 BT1.5I-M8 BT1.5M-C BT1.5M-C0 BT1.5M-M BT1.5M-M0 BT1.5M-M30 BT1.5M-M69 BT1.5M-XMR