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BTS117A

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BTS117A
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162106431621048916210479162104578
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
250000
INFINEON
SOT-263
最新批次
-
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BTS117A 技术参数

BTS117 E3045A 功能描述:电源开关 IC - POE / LAN RoHS:否制造商:Fairchild Semiconductor 开关数量:Single 开关配置:SPST 开启电阻（最大值）:7.3 Ohms 串话: 带宽: 开启时间（最大值）:13 ns 关闭时间（最大值）:20 ns 切换电压（最大）: 工作电源电压:8 V to 26 V 最大工作温度:+ 125 C 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220F-6 BTS117 功能描述:电源开关 IC - POE / LAN SMART LOW SIDE PWR SWITCH RoHS:否制造商:Fairchild Semiconductor 开关数量:Single 开关配置:SPST 开启电阻（最大值）:7.3 Ohms 串话: 带宽: 开启时间（最大值）:13 ns 关闭时间（最大值）:20 ns 切换电压（最大）: 工作电源电压:8 V to 26 V 最大工作温度:+ 125 C 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220F-6 BTS115ANKSA1 功能描述:MOSFET N-CH 50V 15.5A TO-220AB 制造商:infineon technologies 系列:TEMPFET? 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:50V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:15.5A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:120 毫欧 @ 7.8A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:735pF @ 25V 功率 - 最大值:50W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:P-TO220AB 标准包装:500 BTS115A 功能描述:Hex Standoff Threaded #6-32 Brass 0.500" (12.70mm) 1/2" 制造商:essentra components 系列:BTS 零件状态:有效类型:六角支座有丝/无丝:有螺纹公母:公头，母头螺钉，螺纹规格:#6-32 直径 - 内部:- 直径 - 外部:0.250"（6.35mm） 1/4" 六角形板间高度:0.500"（12.70mm）1/2" 长度 - 总:0.750"（19.05mm）3/4" 特性:- 材料:黄铜镀层:镍颜色:- 重量:- 标准包装:500 BTS113ANKSA1 功能描述:MOSFET N-CH 60V 11.5A TO-220AB 制造商:infineon technologies 系列:TEMPFET? 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:11.5A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:170 毫欧 @ 5.8A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:560pF @ 25V 功率 - 最大值:40W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:P-TO220AB 标准包装:500 BTS-125-01-F-D BTS-125-01-F-D-A BTS-125-01-F-D-A-K BTS-125-01-F-D-K BTS-125-01-H-D-A BTS-125-01-H-D-A-K BTS-125-01-L-D BTS-125-01-L-D-A BTS-125-01-L-D-A-K BTS-125-01-L-D-A-TR BTS-125-01-L-D-EM2 BTS-125-01-L-D-K BTS125A BTS130A BTS133 BTS133 E3045A BTS133BKSA1 BTS133E3064NKSA1