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BU20P-TZW-S(T)(LF)(SN)

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    BU20P-TZW-S(T)(LF)(SN)

  • 深圳市华盛锦科技有限公司
    深圳市华盛锦科技有限公司

    联系人:张先生/雷小姐

    电话:0755-83795896

    地址:深圳市福田区华强北街道赛格广场55楼5566室

    资质:营业执照

  • 36000

  • JST

  • NA

  • 21+原厂授权

  • -
  • ★原厂授权★价超代理★

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BU20P-TZW-S(T)(LF)(SN) 技术参数
  • BU-20OZ 功能描述:CONN IC DIP SOCKET 20POS 制造商:on shore technology inc. 系列:BU 包装:- 零件状态:有效 类型:- 针脚或引脚数(栅格):20(2 x 10) 间距 - 配接:- 触头表面处理 - 配接:- 触头表面处理厚度 - 配接:- 触头材料 - 配接:- 安装类型:- 特性:- 端接:- 间距 - 柱:- 触头表面处理 - 柱:- 触头表面处理厚度 - 柱:- 触头材料 - 柱:- 外壳材料:- 工作温度:- 端接柱长度:- 材料可燃性等级:- 额定电流:- 接触电阻:- 标准包装:1 BU2099FV-E2 功能描述:功率驱动器IC DRV 12BIT I/O RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube BU2098F-E2 功能描述:功率驱动器IC 8-BIT SERIAL IN/ PARALLEL OUT DRIVER RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube BU2092FV-E2 功能描述:功率驱动器IC 12 BIT SERIAL-IN/ PARALLEL OUT DRIVER RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube BU2092F-E2 功能描述:功率驱动器IC IC 12BIT S-IN P-OUT RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube BU21024FV-ME2 BU21025GUL-E2 BU21026MUV-E2 BU21029GUL-E2 BU21029MUV-E2 BU21050FS-E2 BU21051FS-E2 BU21072MUV-E2 BU21077MUV-E2 BU21078FV-E2 BU21078MUV-E2 BU21079F-E2 BU2114F-E2 BU21170MUV-E2 BU-2141-D-48-0 BU-2141-D-48-2 BU-21434-0 BU2152FS-E2
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