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BU5205NVX-TR

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

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BU5205NVX-TR 技术参数
  • BU52056NVX-TR 功能描述:IC DETECTION HALL OMNIPO 4-SSON 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 功能:全极开关 技术:霍尔效应 极化:任意一种 感应范围:±6.4mT 跳闸,±2mT 释放 测试条件:25°C 电压 - 电源:1.65 V ~ 3.6 V 电流 - 电源(最大值):8μA 电流 - 输出(最大值):500μA 输出类型:推挽式 特性:- 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:4-UDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:SSON004X1216 标准包装:1 BU52055GWZ-E2 功能描述:IC DETECTION HALL OMNI UCSP35L1 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 功能:全极开关 技术:霍尔效应 极化:任意一种 感应范围:±5.5mT 跳闸,±1.5mT 释放 测试条件:25°C 电压 - 电源:1.65 V ~ 3.6 V 电流 - 电源(最大值):8μA 电流 - 输出(最大值):500μA 输出类型:推挽式 特性:- 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:4-XFBGA,CSPBGA 供应商器件封装:UCSP35L1 标准包装:1 BU52054GWZ-E2 功能描述:IC DETECTION HALL OMNIPO 4UCSP 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 功能:全极开关 技术:霍尔效应 极化:任意一种 感应范围:±7.9mT 跳闸,±3.5mT 释放 测试条件:25°C 电压 - 电源:1.65 V ~ 3.6 V 电流 - 电源(最大值):8μA 电流 - 输出(最大值):500μA 输出类型:推挽式 特性:- 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:4-XFBGA,CSPBGA 供应商器件封装:UCSP35L1 标准包装:1 BU52053NVX-TR 功能描述:IC DETECTION HALL OMNIPO 4-SSON 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 功能:全极开关 技术:霍尔效应 极化:任意一种 感应范围:±5mT 跳闸,±0.6mT 释放 测试条件:25°C 电压 - 电源:1.65 V ~ 3.6 V 电流 - 电源(最大值):8μA 电流 - 输出(最大值):500μA 输出类型:推挽式 特性:- 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:4-UDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:SSON004X1216 标准包装:1 BU52051NVX-TR 功能描述:IC LATCH SENSOR BIPO CMOS 4SSON 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:Not For New Designs 功能:全极开关 技术:霍尔效应 极化:任意一种 感应范围:±7.9mT 跳闸,±3.5mT 释放 测试条件:25°C 电压 - 电源:1.65 V ~ 3.6 V 电流 - 电源(最大值):8μA 电流 - 输出(最大值):500μA 输出类型:推挽式 特性:- 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:4-UDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:SSON004X1216 标准包装:1 BU5255HFV-TR BU5255SHFV-TR BU5265HFV-TR BU5265SHFV-TR BU52742GUL-E2 BU5281G-TR BU5281SG-TR BU-55 BU-58 BU-60 BU-60BLACK BU-60C BU-60CHS-0 BU-60CHS-2 BU-60CHS-4 BU-60CHS-5 BU-60CHS-6 BU-60CHS-9
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