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BUK6E2R0-30C,127

配单专家企业名单
  • 型号
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  • BUK6E2R0-30C,127
    BUK6E2R0-30C,127

    BUK6E2R0-30C,127

  • 上海鑫科润电子科技有限公司
    上海鑫科润电子科技有限公司

    联系人:鑫科润

    电话:185210072361851602286718516022897

    地址:上海徐汇区中山南二路1007号

  • 50000

  • NXP Semiconductors

  • I2PAK

  • 17+

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  • 全新原装现货

  • BUK6E2R0-30C,127
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  • 深圳市众芯微电子有限公司
    深圳市众芯微电子有限公司

    联系人:陈小姐

    电话:0755-8320801015711992892

    地址:都会轩3607

    资质:营业执照

  • 90000

  • NXP Semiconductors

  • I2PAK

  • 18+

  • -
  • MOSFET N-CH 30V 120A...

  • BUK6E2R0-30C,127
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  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-62962871629687318256329162961347

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室

    资质:营业执照

  • 0

  • 原厂封装

  • 10000

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  • BUK6E2R0-30C,127
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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

    电话:0755-2394163213723794312(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

  • 865000

  • Nexperia

  • 原厂封装

  • 最新批号

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  • 一级代理.原装特价现货!

  • BUK6E2R0-30C,127
    BUK6E2R0-30C,127

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  • 深圳市德力诚信科技有限公司
    深圳市德力诚信科技有限公司

    联系人:王小姐

    电话:13305449939

    地址:上海市静安区恒丰路568号恒汇国际大厦903室

  • 1899

  • NEXPERIA

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  • 近两年

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  • 查价格、订购可到京北通宇商城www.jb...

  • BUK6E2R0-30C,127
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  • 深圳市新纳斯科技有限公司
    深圳市新纳斯科技有限公司

    联系人:王小姐

    电话:0755-8363553213751165621

    地址:深圳市福田区沙头街道新洲二街南溪新苑A606/深圳市福田区振华路高科德电子市场A3810室

    资质:营业执照

  • 4728

  • Nexperia USA Inc.

  • TO-262-3

  • 17+

  • -
  • 原装正品,授权分销商现货库存,价优,货期...

  • BUK6E2R0-30C,127
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  • 深圳市企诺德电子有限公司
    深圳市企诺德电子有限公司

    联系人:

    电话:13480313979

    地址:深圳市福田区华强北路1002号赛格广场54楼5403B-5404AB

    资质:营业执照

  • 15000

  • NXP

  • N/A

  • 22+

  • -
  • 原装正品 专业BOM配单

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BUK6E2R0-30C,127 PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • MOSFET N-CHAN 30V 120A
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶体管极性
  • N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压
  • 650 V
  • 闸/源击穿电压
  • 25 V
  • 漏极连续电流
  • 130 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作温度
  • 安装风格
  • Through Hole
  • 封装 / 箱体
  • Max247
  • 封装
  • Tube
BUK6E2R0-30C,127 技术参数
  • BUK6D43-60EX 功能描述:BUK6D43-60E SOT1220 SOT1220 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级,AEC-Q101,TrenchMOS? 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):13A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.7V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):18nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):590pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散(最大值):15W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):43 毫欧 @ 5A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:6-DFN2020MD(2x2) 封装/外壳:6-UDFN 裸露焊盘 标准包装:1 BUK6D43-40PX 功能描述:BUK6D43-40P SOT1220 SOT1220 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级,AEC-Q101,TrenchMOS? 零件状态:在售 FET 类型:P 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):40V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):14A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.7V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):36nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):1260pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散(最大值):15W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):43 毫欧 @ 6A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:6-DFN2020MD(2x2) 封装/外壳:6-UDFN 裸露焊盘 标准包装:1 BUK6C3R3-75C,118 功能描述:MOSFET N-CH 75V 181A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级,AEC-Q101,TrenchMOS? 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):75V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):181A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.8V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):253nC @ 10V Vgs(最大值):±16V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):15800pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):300W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):3.4 毫欧 @ 90A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:D2PAK 封装/外壳:TO-263-7,D2Pak(6 引线 + 接片),TO-263CB 标准包装:1 BUK6C2R1-55C,118 功能描述:MOSFET N-CH 55V 228A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级,AEC-Q101,TrenchMOS? 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):55V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):228A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.8V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):253nC @ 10V Vgs(最大值):±16V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):16000pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):300W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):2.3 毫欧 @ 90A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:D2PAK 封装/外壳:TO-263-7,D2Pak(6 引线 + 接片),TO-263CB 标准包装:1 BUK664R8-75C,118 功能描述:MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级,AEC-Q101,TrenchMOS? 包装:剪切带(CT) 零件状态:停產 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):75V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):120A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.8V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):177nC @ 10V Vgs(最大值):±16V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):11400pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):263W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):5 毫欧 @ 25A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:D2PAK 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB 标准包装:1 BUK7108-40AIE,118 BUK7109-75AIE,118 BUK7109-75ATE,118 BUK714R1-40BT,118 BUK7207-30B,118 BUK7208-40B,118 BUK7210-55B,118 BUK7210-55B/C1,118 BUK7212-55B,118 BUK7213-40A,118 BUK7214-75B,118 BUK72150-55A,118 BUK7215-55A,118 BUK7219-55A,118 BUK7222-55A,118 BUK7225-55A,118 BUK7226-75A,118 BUK7226-75A/C1,118
配单专家

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