BUK7237-55A /T3

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功能描述
MOSFET TAPE13 PWR-MOS
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
650 V
闸/源击穿电压
25 V
漏极连续电流
130 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作温度
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
Max247
封装
Tube

BUK7237-55A /T3 技术参数

BUK7230-55A,118 功能描述:MOSFET N-CH 55V 38A DPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101，TrenchMOS? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:55V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:38A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1152pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:88W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:30 毫欧 @ 25A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:DPAK 封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 标准包装:1 BUK7227-100B,118 功能描述:MOSFET N-CH 100V 48A DPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101，TrenchMOS? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:48A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:37nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:2789pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:167W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:27 毫欧 @ 25A，10V 工作温度:-55°C ~ 185°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:DPAK 封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 标准包装:1 BUK7226-75A/C1,118 功能描述:MOSFET N-CH 75V 45A DPAK 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:75V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:45A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:26 毫欧 @ 25A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:48nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2385pF @ 25V 功率 - 最大值:158W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:DPAK 标准包装:2,500 BUK7226-75A,118 功能描述:MOSFET N-CH 75V 45A DPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101，TrenchMOS? 包装:剪切带（CT）零件状态:停產 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:75V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:45A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:48nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:2385pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:158W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:26 毫欧 @ 25A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:DPAK 封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 标准包装:1 BUK7225-55A,118 功能描述:MOSFET N-CH 55V 43A DPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101，TrenchMOS? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:55V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:43A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1310pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:94W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:25 毫欧 @ 25A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:DPAK 封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 标准包装:1 BUK7506-55B,127 BUK7506-75B,127 BUK7507-30B,127 BUK7507-55B,127 BUK7508-40B,127 BUK7508-55A,127 BUK7509-55A,127 BUK7509-75A,127 BUK7510-100B,127 BUK7510-55AL,127 BUK7511-55A,127 BUK7511-55B,127 BUK7513-75B,127 BUK7514-55A,127 BUK7514-60E,127 BUK75150-55A,127 BUK7515-100A,127 BUK7516-55A,127