供应商
型号
数量
厂商
批号
封装
交易说明
在线询价
QQ咨询
  • BUK7509-75A,127
  • 25499
  • NXP USA Inc.
  • 16+
  • TO-220AB
  • BUK7509-75A,127
  • 1000
  • NXP Semiconductors
  • 14+/15+
  • MOSFET N-CH 75V 75A
  • BUK7509-75A,127
  • 30000
  • NXP Semiconductors
  • 2015
  • 原厂标准封装
  • BUK7509-75A,127
  • 298
  • NXP Semiconductors
  • 2年内
  • TO-220AB
  • BUK7509-75A,127
  • 6000
  • NXP Semiconductors
  • 12+
  • 原厂封装
  • BUK7509-75A,127
  • 250
  • NXP Semiconductors
  • 13+/14+
  • 原装
1
BUK7509-75A,127
参数信息:

功能描述:MOSFET RAIL PWR-MOS

RoHS:

制造商:STMicroelectronics

晶体管极性:N-Channel

汲极/源极击穿电压:650 V

闸/源击穿电压:25 V

漏极连续电流:130 A

电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms

配置:Single

最大工作温度:

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:Max247

封装:Tube

BUK7509-75A,127技术参数

BUK7510-100B 功能描述:MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube BUK7510-100B,127 功能描述:MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube BUK7510-30 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:TrenchMOS transistor Standard level FET BUK7510-55AL 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel TrenchMOS standard level FET BUK7510-55AL,127 功能描述:MOSFET Trans MOSFET N-CH 55V 122A 3Pin(3+Tab) RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube BUK7510-55AL_08 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel TrenchMOS standard level FET BUK7511-55A 功能描述:MOSFET RAIL PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube BUK7511-55A,127 功能描述:MOSFET RAIL PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube BUK7511-55B 功能描述:MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube BUK7511-55B,127 功能描述:MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube