BUK762R7-30B118

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BUK762R7-30B118
深圳市思诺康科技有限公司
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地址：坂田坂雪岗大道中兴路105号儒骏大厦5楼503室
2400
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BUK762R7-30B118
深圳市佳斯泰科技有限公司
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BUK762R7-30B118 技术参数

BUK762R7-30B,118 功能描述:MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101，TrenchMOS? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:75A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:91nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:6212pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:300W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.7 毫欧 @ 25A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:D2PAK 封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 标准包装:1 BUK762R6-60E,118 功能描述:MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101，TrenchMOS? 包装:剪切带（CT）零件状态:Digi-Key 停止供應 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:120A（Tc）不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:140nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:10170pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:324W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.6 毫欧 @ 25A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:D2PAK 封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 标准包装:1 BUK762R6-40E,118 功能描述:MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101，TrenchMOS? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:91nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:7130pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:263W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.6 毫欧 @ 25A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:D2PAK 封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 标准包装:1 BUK762R4-60E,118 功能描述:MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101，TrenchMOS? 包装:剪切带（CT）零件状态:Digi-Key 停止供應 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:158nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:11180pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:357W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.4 毫欧 @ 25A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:D2PAK 封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 标准包装:1 BUK762R0-40E,118 功能描述:MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101，TrenchMOS? 包装:剪切带（CT）零件状态:Digi-Key 停止供應 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:109.2nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:8500pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:293W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2 毫欧 @ 25A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:D2PAK 封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 标准包装:1 BUK763R9-60E,118 BUK7640-100A,118 BUK764R0-40E,118 BUK764R0-55B,118 BUK764R0-75C,118 BUK764R2-80E,118 BUK764R3-40B,118 BUK764R4-60E,118 BUK765R0-100E,118 BUK765R2-40B,118 BUK765R3-40E,118 BUK7660-100A,118 BUK766R0-60E,118 BUK7675-100A,118 BUK7675-55A,118 BUK768R1-100E,118 BUK768R1-40E,118 BUK768R3-60E,118