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BUK9M7R2-40EX

配单专家企业名单
  • 型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装
  • 批号
  • 价格
  • 说明
  • 操作
  • BUK9M7R2-40EX
    BUK9M7R2-40EX

    BUK9M7R2-40EX

  • 深圳市华盛锦科技有限公司
    深圳市华盛锦科技有限公司

    联系人：张先生/雷小姐

    电话：0755-8279802015814679726（承诺只售原装正品，终端BOM配单一站式服务）

    地址：华强街道赛格广场55楼5566室

    资质：营业执照

  • 36890

  • NEXPERIA

  • SOT1210

  • 21+原厂授权

  • -

  • BUK9M7R2-40EX
    BUK9M7R2-40EX

    BUK9M7R2-40EX

  • 深圳市众芯微电子有限公司
    深圳市众芯微电子有限公司

    联系人：陈小姐

    电话：0755-8320801015711992892

    地址：都会轩3607

    资质：营业执照

  • 90000

  • NXP Semiconductors

  • LFPAK33

  • 18+

  • -

  • MOSFET N-CH 40V 70A ...

  • BUK9M7R2-40EX
    BUK9M7R2-40EX

    BUK9M7R2-40EX

  • 上海鑫科润电子科技有限公司
    上海鑫科润电子科技有限公司

    联系人：鑫科润

    电话：185210072361851602286718516022897

    地址：上海徐汇区中山南二路1007号

  • 50000

  • NXP Semiconductors

  • LFPAK33

  • 17+

  • -

  • 全新原装现货

  • BUK9M7R2-40EX
    BUK9M7R2-40EX

    BUK9M7R2-40EX

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    联系人：刘先生

    电话：010-62962871629687318256329162961347

    地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室

    资质：营业执照

  • 0

  • 原厂封装

  • 10000

  • 16+/17+

  • -

  • 百分百原装正品假一赔十 电话010-62...

  • BUK9M7R2-40EX
    BUK9M7R2-40EX

    BUK9M7R2-40EX

  • 深圳市亿联芯电子科技有限公司
    深圳市亿联芯电子科技有限公司

    联系人：吴经理

    电话：18138401919

    地址：深圳市福田区赛格科技园4栋中7楼7B30

  • 69880

  • NEXPERIA/安世

  • SOT1210

  • 2021+

  • -

  • ★★正规渠道★原厂正品最新货源现货供应★...

  • BUK9M7R2-40EX
    BUK9M7R2-40EX

    BUK9M7R2-40EX

  • 深圳市创芯弘科技有限公司
    深圳市创芯弘科技有限公司

    联系人：(2014年前十佳IC供应商)

    电话：13410000176

    地址：深圳市福田区益田路平安金融中心4606.代理分销常备现货.可申请账期......

    资质：营业执照

  • 369800

  • Nexperia(安世)

  • LFPAK33

  • 刚到货

  • -

  • 代理可含税开票

  • BUK9M7R2-40EX
    BUK9M7R2-40EX

    BUK9M7R2-40EX

  • 深圳市新纳斯科技有限公司
    深圳市新纳斯科技有限公司

    联系人：王小姐

    电话：0755-8363553213751165621

    地址：深圳市福田区沙头街道新洲二街南溪新苑A606/深圳市福田区振华路高科德电子市场A3810室

    资质：营业执照

  • 1621

  • Nexperia USA Inc.

  • N/A

  • 17+

  • -

  • 原装正品，授权分销商现货库存，价优，货期...

  • 1/1页 40条/页 共5条 
  • 1
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  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 40V 70A LFPAK
  • 制造商
  • nexperia usa inc.
  • 系列
  • 汽车级，AEC-Q101，TrenchMOS?
  • 包装
  • 剪切带（CT）
  • 零件状态
  • 在售
  • FET 类型
  • N 沟道
  • 技术
  • MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）
  • 40V
  • 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
  • 70A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
  • 5V
  • 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
  • 2.1V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）
  • 19.7nC @ 5V
  • Vgs（最大值）
  • ±10V
  • 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
  • 2567pF @ 25V
  • FET 功能
  • -
  • 功率耗散（最大值）
  • 79W（Tc）
  • 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
  • 5.8 毫欧 @ 20A，10V
  • 工作温度
  • -55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型
  • 表面贴装
  • 供应商器件封装
  • LFPAK33
  • 封装/外壳
  • SOT-1210，8-LFPAK33
  • 标准包装
  • 1
BUK9M7R2-40EX 技术参数
  • BUK9M6R6-30EX 功能描述:MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101，TrenchMOS? 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:70A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:18nC @ 5V Vgs（最大值）:±10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:2001pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:75W（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:5.3 毫欧 @ 20A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:LFPAK33 封装/外壳:SOT-1210，8-LFPAK33 标准包装:1 BUK9M5R2-30EX 功能描述:MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101，TrenchMOS? 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:70A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:22.5nC @ 5V Vgs（最大值）:±10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:2467pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:79W（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4.1 毫欧 @ 25A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:LFPAK33 封装/外壳:SOT-1210，8-LFPAK33 标准包装:1 BUK9M53-60EX 功能描述:MOSFET N-CH 60V 17A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101，TrenchMOS? 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:17A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:6nC @ 5V Vgs（最大值）:±10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:683pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:36W（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:46 毫欧 @ 5A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:LFPAK33 封装/外壳:SOT-1210，8-LFPAK33（5 根引线） 标准包装:1 BUK9M52-40EX 功能描述:MOSFET N-CH 40V 17.6A LFPAK33 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101，TrenchMOS? 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:17.6A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:4.5nC @ 5V Vgs（最大值）:±10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:407pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:31W（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:40 毫欧 @ 5A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:LFPAK33 封装/外壳:SOT-1210，8-LFPAK33 标准包装:1 BUK9M43-100EX 功能描述:MOSFET N-CH 100V 25A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101，TrenchMOS? 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:25A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:20.2nC @ 5V Vgs（最大值）:±10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:2309pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:80W（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:43 毫欧 @ 5A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:LFPAK33 封装/外壳:SOT-1210，8-LFPAK33（5 根引线） 标准包装:1 BUK9Y113-100E,115 BUK9Y11-80EX BUK9Y12-100E,115 BUK9Y12-40E,115 BUK9Y12-55B,115 BUK9Y12-80E,115 BUK9Y14-40B,115 BUK9Y14-80E,115 BUK9Y15-100E,115 BUK9Y153-100E,115 BUK9Y15-60E,115 BUK9Y19-100E,115 BUK9Y19-55B,115 BUK9Y19-55B/C2,115 BUK9Y19-75B,115 BUK9Y21-40E,115 BUK9Y22-100E,115 BUK9Y22-30B,115
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