BULB903LD

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BULB903LD 技术参数

BULB903EDT4 功能描述:TRANS NPN 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:- 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:- 功率 - 最大值:- 频率 - 跃迁:- 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标准包装:1,000 BULB742C-1 功能描述:TRANS NPN 400V 4A I2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件零件状态:过期晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:4A 电压 - 集射极击穿（最大值）:400V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 1A，3.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:250μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:25 @ 800mA，3V 功率 - 最大值:70W 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA 供应商器件封装:I2PAK 标准包装:50 BULB7216T4 功能描述:TRANS NPN 700V 3A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:3A 电压 - 集射极击穿（最大值）:700V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:3V @ 80mA，800mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:4 @ 2A，5V 功率 - 最大值:80W 频率 - 跃迁:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1,000 BULB7216-1 功能描述:TRANS NPN 700V 3A I2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:3A 电压 - 集射极击穿（最大值）:700V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:3V @ 80mA，800mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:4 @ 2A，5V 功率 - 最大值:80W 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA 供应商器件封装:I2PAK 标准包装:50 BULB49DT4 功能描述:TRANSISTOR HIGH VOLTAGE 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:450V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.2V @ 800mA，4A 电流 - 集电极截止（最大值）:100μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:4 @ 7A，10V 功率 - 最大值:80W 频率 - 跃迁:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1,000 BULT118M BULT3P3 BUNDS-KT-3LE00 BUNDS-KT-3PE00 BUNDS-KT-4LE00 BUNDS-KT-4PE00 BU-P1081-12-0 BU-P1081-12-2 BU-P1081-24-0 BU-P1081-24-2 BU-P1081-36-0 BU-P1081-36-2 BU-P1081-36-4 BU-P1166-12-0 BU-P1166-12-2 BU-P1166-24-0 BU-P1166-24-2 BU-P1166-36-0