BULD1101ET4_代理商_批发/采购【买卖IC网】BULD1101ET4

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

BULD1101ET4
北京首天伟业科技有限公司
北京首天伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6256544762566447
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1010室
资质：营业执照
10000
ST
TO-252
15+
-
原装正品，假一罚十

BULD1101ET4
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162106431621048916210479162104578
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
STM
-
假一罚十，百分百原装正品

BULD1101ET4
深圳市琦凌凯科技有限公司
深圳市琦凌凯科技有限公司
联系人：彭先生
电话：1331648214918276240346
地址：深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋中10层10A19
资质：营业执照
6000
ST
TO252DPAK
22+
-
十年配单，只做原装

BULD1101ET4
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
12500
ST
TO252
04+
-
全新原装现货

BULD1101ET4
深圳市硅宇电子有限公司
深圳市硅宇电子有限公司
联系人：唐先生
电话：134242936540755-83690762
地址：深圳市福田区福虹路世界贸易广场A座1503
资质：营业执照
12500
ST
TO252
0501+
-
原装现货/特价

BULD1101ET4
深圳廊盛科技有限公司
深圳廊盛科技有限公司
联系人：李小姐
电话：18229386512
地址：上步工业区501栋410室
20000
ST/意法
TO252
23+
-
原装正品欢迎咨询

BULD1101ET4
深圳廊盛科技有限公司
深圳廊盛科技有限公司
联系人：严艺浦
电话：18682365538
地址：上步工业区501栋410室
20000
ST/意法
TO252
23+
-
原装正品欢迎咨询

BULD1101ET4
深圳市华芯源电子有限公司
深圳市华芯源电子有限公司
联系人：张小姐
电话：1501927513013823545558
地址：深圳市福田区华强路华强广场D座16层16B
资质：营业执照
23697
ST/意法
TO252DPAK
22+
-

BULD1101ET4
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
865000
ST
TO-252
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

BULD1101ET4
深圳市一线半导体有限公司
深圳市一线半导体有限公司
联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
电话：0755-837892031333298700517727932378
地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F
9600
TO 252 DPAK
ST
17+
-
原装正品。优势供应

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功能描述
两极晶体管 - BJT Hi Vltg Fast Swtchng NPN Pwr Transistor
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
配置
晶体管极性
PNP
集电极—基极电压 VCBO
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 40 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 6 V
集电极—射极饱和电压
最大直流电集电极电流
增益带宽产品fT
直流集电极/Base Gain hfe Min
100 A
最大工作温度
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerFLAT 2 x 2

BULD1101ET4 技术参数

BULB903EDT4 功能描述:TRANS NPN 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:- 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:- 功率 - 最大值:- 频率 - 跃迁:- 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标准包装:1,000 BULB742C-1 功能描述:TRANS NPN 400V 4A I2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件零件状态:过期晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:4A 电压 - 集射极击穿（最大值）:400V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 1A，3.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:250μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:25 @ 800mA，3V 功率 - 最大值:70W 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA 供应商器件封装:I2PAK 标准包装:50 BULB7216T4 功能描述:TRANS NPN 700V 3A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:3A 电压 - 集射极击穿（最大值）:700V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:3V @ 80mA，800mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:4 @ 2A，5V 功率 - 最大值:80W 频率 - 跃迁:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1,000 BULB7216-1 功能描述:TRANS NPN 700V 3A I2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:3A 电压 - 集射极击穿（最大值）:700V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:3V @ 80mA，800mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:4 @ 2A，5V 功率 - 最大值:80W 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA 供应商器件封装:I2PAK 标准包装:50 BULB49DT4 功能描述:TRANSISTOR HIGH VOLTAGE 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:450V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.2V @ 800mA，4A 电流 - 集电极截止（最大值）:100μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:4 @ 7A，10V 功率 - 最大值:80W 频率 - 跃迁:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1,000 BULT118M BULT3P3 BUNDS-KT-3LE00 BUNDS-KT-3PE00 BUNDS-KT-4LE00 BUNDS-KT-4PE00 BU-P1081-12-0 BU-P1081-12-2 BU-P1081-24-0 BU-P1081-24-2 BU-P1081-36-0 BU-P1081-36-2 BU-P1081-36-4 BU-P1166-12-0 BU-P1166-12-2 BU-P1166-24-0 BU-P1166-24-2 BU-P1166-36-0