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BYG21M/54

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功能描述
DIODE AVALANCHE 1.5A 1000V SMD
RoHS
否
类别
分离式半导体产品 >> 单二极管/整流器
系列
-
标准包装
100
系列
-
二极管类型
标准
电压 - (Vr)（最大）
50V
电流 - 平均整流 (Io)
6A
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）
1.4V @ 6A
速度
快速恢复 = 200mA（Io）
反向恢复时间(trr)
300ns
电流 - 在 Vr 时反向漏电
15µA @ 50V
电容@ Vr, F
-
安装类型
底座，接线柱安装
封装/外壳
DO-203AA，DO-4，接线柱
供应商设备封装
DO-203AA
包装
散装
其它名称
*1N3879

BYG21M/54 技术参数

BYG21M R3G 功能描述:DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售二极管类型:雪崩电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V 电流 - 平均整流（Io）:1.5A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.6V @ 1.5A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:120ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 1000V 不同?Vr，F 时的电容:13pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-214AC，SMA 供应商器件封装:DO-214AC（SMA）工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:1 BYG21M M2G 功能描述:DIODE AVALANCHE 1.5A DO214AC 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:在售二极管类型:雪崩电流 - 平均整流（Io）:1.5A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.6V @ 1.5A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:120ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 1000V 不同?Vr，F 时的电容:13pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-214AC，SMA 供应商器件封装:DO-214AC（SMA）工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:7,500 BYG21K-M3/TR3 功能描述:Diode Avalanche 800V 1.5A Surface Mount DO-214AC (SMA) 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带卷（TR）零件状态:有效二极管类型:雪崩电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:800V 电流 - 平均整流（Io）:1.5A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.6V @ 1.5A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:120ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 800V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-214AC，SMA 供应商器件封装:DO-214AC（SMA）工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:7,500 BYG21K-M3/TR 功能描述:Diode Avalanche 800V 1.5A Surface Mount DO-214AC (SMA) 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带卷（TR）零件状态:有效二极管类型:雪崩电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:800V 电流 - 平均整流（Io）:1.5A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.6V @ 1.5A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:120ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 800V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-214AC，SMA 供应商器件封装:DO-214AC（SMA）工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:1,800 BYG21KHM3_A/I 功能描述:DIODE AVALANCHE 800V 1.5A DO214 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带卷（TR）零件状态:在售二极管类型:雪崩电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:800V 电流 - 平均整流（Io）:1.5A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.6V @ 1.5A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:120ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 800V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-214AC，SMA 供应商器件封装:DO-214AC（SMA）工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:7,500 BYG21MHM3_A/H BYG21MHM3_A/I BYG21MHR3G BYG21M-M3/TR BYG21M-M3/TR3 BYG22A-E3/TR BYG22A-E3/TR3 BYG22AHE3/TR BYG22AHE3/TR3 BYG22AHE3_A/H BYG22AHE3_A/I BYG22AHM3/TR BYG22AHM3/TR3 BYG22AHM3_A/H BYG22AHM3_A/I BYG22A-M3/TR BYG22A-M3/TR3 BYG22B-E3/TR