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BYW80-200G-ON#

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  • 深圳市一线半导体有限公司
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BYW80-200G-ON# 技术参数
  • BYW80-200G 功能描述:Diode Standard 200V 8A Through Hole TO-220-2 制造商:on semiconductor 系列:SWITCHMODE?? 包装:管件 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):200V 电流 - 平均整流(Io):8A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.25V @ 22A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):35ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 200V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-2 供应商器件封装:TO-220-2 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:50 BYW80-200 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 10A TO220AC 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件 零件状态:过期 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):200V 电流 - 平均整流(Io):10A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.15V @ 15A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):35ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 200V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-2 供应商器件封装:TO-220AC 工作温度 - 结:150°C(最大) 标准包装:50 BYW77PI-200RG 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 25A DOP3I 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件 零件状态:过期 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):200V 电流 - 平均整流(Io):25A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.15V @ 40A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):50ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:25μA @ 200V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:通孔 封装/外壳:DOP3I-2 绝缘(直引线) 供应商器件封装:DOP3I 工作温度 - 结:-40°C ~ 150°C 标准包装:300 BYW77P-200 功能描述:Diode Standard 200V 25A Through Hole SOD-93-2 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件 零件状态:过期 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):200V 电流 - 平均整流(Io):25A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.15V @ 40A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):50ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:25μA @ 200V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:通孔 封装/外壳:SOD-93-2 供应商器件封装:SOD-93-2 工作温度 - 结:-40°C ~ 150°C 标准包装:300 BYW77G-200-TR 功能描述:Diode Standard 200V 25A Surface Mount D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):200V 电流 - 平均整流(Io):25A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.15V @ 40A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):50ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:25μA @ 200V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 工作温度 - 结:-40°C ~ 150°C 标准包装:1,000 BYW85TR BYW86TAP BYW86-TR BYW98-200 BYW98-200RL BYW99P-200 BYW99PI-200RG BYW99W-200 BYWB29-100-E3/45 BYWB29-100-E3/81 BYWB29-100HE3/45 BYWB29-100HE3/81 BYWB29-150-E3/45 BYWB29-150-E3/81 BYWB29-150HE3/45 BYWB29-150HE3/81 BYWB29-200-E3/45 BYWB29-200-E3/81
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