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BZB84-C11/DG(11V)

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BZB84-C11/DG(11V) 技术参数

BZB84-C11,215 功能描述:Zener Diode Array 1 Pair Common Anode 11V 300mW ±5% SOT-23 (TO-236AB) 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效配置:1 对共阳极电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:11V 容差:±5% 功率 - 最大值:300mW 阻抗（最大值）（Zzt）:20 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 8V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作温度:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23（TO-236AB）标准包装:3,000 BZB84-C10,215 功能描述:Zener Diode Array 1 Pair Common Anode 10V 300mW ±5% SOT-23 (TO-236AB) 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效配置:1 对共阳极电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:10V 容差:±5% 功率 - 最大值:300mW 阻抗（最大值）（Zzt）:20 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:200nA @ 7V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作温度:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23（TO-236AB）标准包装:3,000 BZB84-B9V1,215 功能描述:Zener Diode Array 1 Pair Common Anode 9.1V 300mW ±2% SOT-23 (TO-236AB) 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效配置:1 对共阳极电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:9.1V 容差:±2% 功率 - 最大值:300mW 阻抗（最大值）（Zzt）:15 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 6V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作温度:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23（TO-236AB）标准包装:3,000 BZB84-B8V2,215 功能描述:Zener Diode Array 1 Pair Common Anode 8.2V 300mW ±2% SOT-23 (TO-236AB) 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效配置:1 对共阳极电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:8.2V 容差:±2% 功率 - 最大值:300mW 阻抗（最大值）（Zzt）:15 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:700nA @ 5V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作温度:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23（TO-236AB）标准包装:3,000 BZB84-B7V5,215 功能描述:Zener Diode Array 1 Pair Common Anode 7.5V 300mW ±2% SOT-23 (TO-236AB) 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效配置:1 对共阳极电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:7.5V 容差:±2% 功率 - 最大值:300mW 阻抗（最大值）（Zzt）:15 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 5V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作温度:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23（TO-236AB）标准包装:3,000 BZB84-C2V4,215 BZB84-C2V7,215 BZB84-C30,215 BZB84-C33,215 BZB84-C36,215 BZB84-C39,215 BZB84-C3V0,215 BZB84-C3V3,215 BZB84-C3V6,215 BZB84-C3V9,215 BZB84-C43,215 BZB84-C47,215 BZB84-C4V3,215 BZB84-C4V7,215 BZB84-C51,215 BZB84-C56,215 BZB84-C5V1,215 BZB84-C5V6,215