BZD17C12P+RTG

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BZD17C12P+RTG 技术参数

BZD17C12P RVG 功能描述:DIODE ZENER 12V 800MW SUB SMA 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:12V 容差:±5.41% 功率 - 最大值:800mW 阻抗（最大值）（Zzt）:7 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:3μA @ 9.1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.2V @ 200mA 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-219AB 供应商器件封装:Sub SMA 标准包装:3,000 BZD17C12P RUG 功能描述:DIODE ZENER 12V 800MW SUB SMA 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:12V 容差:±5.41% 功率 - 最大值:800mW 阻抗（最大值）（Zzt）:7 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:3μA @ 9.1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.2V @ 200mA 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-219AB 供应商器件封装:Sub SMA 标准包装:1,800 BZD17C12P RTG 功能描述:DIODE ZENER 12V 800MW SUB SMA 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:12V 容差:±5.41% 功率 - 最大值:800mW 阻抗（最大值）（Zzt）:7 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:3μA @ 9.1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.2V @ 200mA 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-219AB 供应商器件封装:Sub SMA 标准包装:7,500 BZD17C12P RQG 功能描述:DIODE ZENER 12V 800MW SUB SMA 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:12V 容差:±5.41% 功率 - 最大值:800mW 阻抗（最大值）（Zzt）:7 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:3μA @ 9.1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.2V @ 200mA 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-219AB 供应商器件封装:Sub SMA 标准包装:10,000 BZD17C12P RHG 功能描述:DIODE ZENER 12V 800MW SUB SMA 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:12V 容差:±5.41% 功率 - 最大值:800mW 阻抗（最大值）（Zzt）:7 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:3μA @ 9.1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.2V @ 200mA 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-219AB 供应商器件封装:Sub SMA 标准包装:10,000 BZD17C13P RFG BZD17C13P RHG BZD17C13P RQG BZD17C13P RTG BZD17C13P RUG BZD17C13P RVG BZD17C13P-E3-08 BZD17C13P-E3-18 BZD17C150P-E3-08 BZD17C150P-E3-18 BZD17C15P M2G BZD17C15P MHG BZD17C15P MQG BZD17C15P MTG BZD17C15P R3G BZD17C15P RFG BZD17C15P RHG BZD17C15P RQG