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BZD17C180P+MTG

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BZD17C180P+MTG 技术参数
  • BZD17C180P RVG 功能描述:DIODE ZENER 180V 800MW SUB SMA 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):180V 容差:±6.38% 功率 - 最大值:800mW 阻抗(最大值)(Zzt):450 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 130V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.2V @ 200mA 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-219AB 供应商器件封装:Sub SMA 标准包装:3,000 BZD17C180P RUG 功能描述:DIODE ZENER 180V 800MW SUB SMA 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):180V 容差:±6.38% 功率 - 最大值:800mW 阻抗(最大值)(Zzt):450 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 130V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.2V @ 200mA 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-219AB 供应商器件封装:Sub SMA 标准包装:1,800 BZD17C180P RTG 功能描述:DIODE ZENER 180V 800MW SUB SMA 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):180V 容差:±6.38% 功率 - 最大值:800mW 阻抗(最大值)(Zzt):450 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 130V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.2V @ 200mA 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-219AB 供应商器件封装:Sub SMA 标准包装:7,500 BZD17C180P RQG 功能描述:DIODE ZENER 180V 800MW SUB SMA 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):180V 容差:±6.38% 功率 - 最大值:800mW 阻抗(最大值)(Zzt):450 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 130V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.2V @ 200mA 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-219AB 供应商器件封装:Sub SMA 标准包装:10,000 BZD17C180P RHG 功能描述:DIODE ZENER 180V 800MW SUB SMA 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):180V 容差:±6.38% 功率 - 最大值:800mW 阻抗(最大值)(Zzt):450 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 130V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.2V @ 200mA 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-219AB 供应商器件封装:Sub SMA 标准包装:10,000 BZD17C18P RQG BZD17C18P RTG BZD17C18P RUG BZD17C18P RVG BZD17C18P-E3-08 BZD17C18P-E3-18 BZD17C200P M2G BZD17C200P MHG BZD17C200P MQG BZD17C200P MTG BZD17C200P R3G BZD17C200P RFG BZD17C200P RHG BZD17C200P RQG BZD17C200P RTG BZD17C200P RUG BZD17C200P RVG BZD17C200P-E3-08
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